HY6116 时间：2025/9/1 23:41:26 阅读：8

HY6116是一款由Hynix（现代半导体）生产的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为2K x 8位，即总共16K位的存储空间。该芯片广泛应用于需要高速数据存取的嵌入式系统、工业控制设备和通信设备中。HY6116采用CMOS技术制造，具有低功耗、高速访问时间和高可靠性的特点，适合在各种苛刻环境下使用。

参数

供电电压：5V
　　存储容量：2K x 8位（16KB）
　　访问时间：55ns（HY6116-55）、70ns（HY6116-70）等版本
　　封装形式：28引脚DIP、28引脚SOIC
　　工作温度范围：商业级（0°C至70°C）或工业级（-40°C至85°C）
　　数据保持电压：最小2V
　　最大工作电流：约150mA（典型值）
　　待机电流：最大10mA
　　输入/输出电平：TTL兼容

特性

HY6116具有多项优良的电气和物理特性，使其在众多SRAM芯片中脱颖而出。首先，它采用了高速CMOS工艺，使得芯片在55ns或70ns的访问时间内快速响应，适用于对速度有要求的系统应用。其次，HY6116具备低功耗特性，在待机模式下电流消耗极低，适用于对功耗敏感的设计。
　　该芯片支持TTL电平输入和输出，与大多数微处理器和控制器兼容，简化了系统设计。此外，HY6116提供28引脚DIP和SOIC两种封装形式，适应不同的电路板布局需求，其中SOIC封装适合高密度PCB设计。
　　HY6116的工作温度范围包括商业级和工业级，适合用于工业控制、数据通信、仪器仪表、车载设备等不同环境。其数据保持电压最低可降至2V，允许在系统掉电情况下通过备用电源维持数据不丢失，因此常用于需要非易失性存储的应用中。

应用

HY6116被广泛应用于需要高速、低功耗和数据保持能力的场合。例如，在嵌入式系统中作为高速缓存或临时数据存储器；在工业控制系统中用于保存关键参数和运行数据；在通信设备中用于缓冲数据流；以及在仪器仪表中用于实时数据记录。
　　由于其TTL兼容特性，HY6116也常与8位、16位微处理器（如Z80、80C186、68000系列等）配合使用。此外，一些老式的工业计算机、PLC（可编程逻辑控制器）和自动化设备中也广泛使用该型号作为系统内存。