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IS25LQ080B-JNLA3-TR 发布时间 时间:2025/12/28 18:07:04 查看 阅读:22

IS25LQ080B-JNLA3-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)生产的串行闪存存储器芯片,容量为8Mbit(1MB),采用SPI(Serial Peripheral Interface)接口进行通信。该芯片广泛应用于需要低功耗、高性能存储的嵌入式系统中,如消费电子、工业控制、通信设备等。该芯片采用8引脚的SOIC(Small Outline Integrated Circuit)封装,适合表面贴装工艺。

参数

容量:8Mbit(1MB)
  接口类型:SPI(Serial Peripheral Interface)
  工作电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:8引脚 SOIC
  读取速度:最大80MHz SPI 时钟频率
  编程/擦除电压:内部电荷泵生成
  存储单元组织:1024个块,每块256字节
  擦除时间:10ms 典型值(每个扇区)
  写入保护功能:硬件写保护(WP#引脚)和软件写保护
  

特性

IS25LQ080B-JNLA3-TR具备多种关键特性,使其适用于各种嵌入式应用场景。首先,其SPI接口设计简化了与微控制器的连接,减少了引脚数量并提高了布线灵活性。芯片支持高速SPI模式,最高可达80MHz的时钟频率,确保快速数据传输。其次,该芯片在工作电压方面具有较宽的适应范围(2.3V至3.6V),适合多种电源环境。此外,芯片内置硬件写保护(WP#引脚)和软件写保护机制,可防止意外的数据写入或擦除操作,提高数据存储的可靠性。
  该芯片支持页编程(Page Program)模式,每次最多可编程256字节数据,并提供快速的编程时间,典型值为1.5ms。其擦除操作包括扇区擦除(Sector Erase)、块擦除(Block Erase)和整体擦除(Chip Erase),擦除时间通常在10ms左右,适用于频繁更新数据的场景。此外,芯片支持低功耗模式,在待机状态下电流消耗极低,适合电池供电设备使用。
  在可靠性方面,IS25LQ080B-JNLA3-TR具有高耐用性,支持10万次编程/擦除周期,并可保持数据存储长达20年。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于严苛的工业环境。

应用

IS25LQ080B-JNLA3-TR广泛应用于嵌入式系统中的代码存储和数据存储场景。常见的应用包括消费电子产品(如智能家电、遥控器)、工业控制系统(如PLC、传感器节点)、通信设备(如路由器、调制解调器)、医疗设备(如便携式监测仪器)等。该芯片也常用于需要固件存储的微控制器系统,例如物联网设备、穿戴式设备等,因其低功耗和小封装特性而受到青睐。

替代型号

MX25L8006E, W25Q80JV, SST25VF080B

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