MSD1010T1G 时间：2025/8/13 8:11:16 阅读：4

MSD1010T1G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关等应用。该器件采用先进的Trench沟槽技术，提供低导通电阻和高电流能力，适合高效率、高功率密度的设计需求。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：5.8A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.42Ω @ VGS = 10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-223
　　功率耗散（PD）：2.5W

特性

MSD1010T1G具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。该MOSFET采用Trench沟槽结构技术，使其在相同电压等级下具有更优的性能表现。
　　其次，MSD1010T1G的SOT-223封装设计提供了良好的热管理能力，有助于在高负载条件下保持稳定运行。此外，该器件具备较高的电流处理能力，在连续漏极电流下可达5.8A，适合中高功率应用。
　　在栅极驱动方面，该MOSFET支持±20V的栅源电压，具备较高的驱动灵活性和抗电压波动能力。同时，其工作温度范围为-55°C至+150°C，表现出良好的温度稳定性，适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。
　　该器件还具有快速开关特性，降低了开关损耗，适用于高频操作场景。例如，在DC-DC转换器、同步整流、负载开关、电池管理系统中，MSD1010T1G均可发挥出色性能。