HY5V56DF-H 时间：2025/9/2 9:20:13 阅读：7

HY5V56DF-H 是由Hynix（现为SK Hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高速CMOS动态存储器系列。该芯片采用先进的CMOS技术制造，具有低功耗、高集成度和高速访问性能，适用于需要大量数据缓存的应用场景。

参数

容量：512K x 16
　　电压：2.3V - 3.6V
　　封装：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　访问时间：5.4ns（最大）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据宽度：16位
　　刷新周期：64ms
　　封装引脚数：54-pin

特性

HY5V56DF-H 是一款高性能的DRAM芯片，具备高速访问和低功耗特性。其512K x 16的配置提供了8MB的存储容量，适用于需要快速数据存取的系统。该芯片的工作电压范围较宽（2.3V至3.6V），使其在多种电源环境下都能稳定运行。TSOP封装形式有助于减少PCB板的空间占用，同时保持良好的散热性能。
　　此外，HY5V56DF-H支持自动刷新和自刷新模式，能够有效降低功耗并延长数据保持时间。其高速访问时间（5.4ns）确保了在高性能系统中的快速响应能力。该芯片的工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在较为严苛的环境条件下正常工作，适用于工业控制、通信设备和嵌入式系统等应用领域。

应用

HY5V56DF-H 广泛应用于需要高速缓存和临时数据存储的电子系统中。其主要应用场景包括但不限于：工业控制设备中的高速数据缓冲、通信模块中的数据暂存、嵌入式系统的主存扩展、网络设备中的数据包缓存以及消费类电子产品中的临时存储需求。该芯片的宽电压设计和工业级温度范围也使其适用于户外设备和恶劣环境下的电子系统。