您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > LESD8D5.0CHT5G

LESD8D5.0CHT5G 发布时间 时间:2025/8/13 14:54:09 查看 阅读:14

LESD8D5.0CHT5G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双向静电放电(ESD)保护二极管阵列,专门用于保护敏感的电子电路免受静电放电、瞬态电压和过电压事件的损害。该器件采用8引脚DFN封装,内部集成多个ESD保护二极管,适用于高速数据线、USB接口、HDMI、以太网等需要高精度信号保护的应用场景。LESD8D5.0CHT5G具有低电容、快速响应时间和低钳位电压等优点,确保在保护电路的同时不影响信号完整性。

参数

类型:ESD保护二极管阵列
  通道数:8
  工作电压:5.0V
  峰值脉冲电流(8/20μs):每通道16A
  钳位电压(最大):13.3V @ IPP
  反向关态电压:5.0V
  电容(典型值):15pF(频率1MHz)
  封装形式:DFN-8
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

LESD8D5.0CHT5G 以其卓越的ESD保护性能和适用于高速信号线路的设计而著称。该器件每个通道都集成了一个双向ESD保护二极管,能够有效吸收高达±30kV的空气放电和±30kV的接触放电能量,满足IEC 61000-4-2 Level 4的最高ESD保护标准。其低钳位电压特性确保在遭遇ESD事件时,能够将电压限制在安全范围内,防止对下游电路造成损害。
  此外,LESD8D5.0CHT5G的低电容设计(典型值为15pF)使其适用于高速数据传输接口,如USB 3.0、HDMI、DisplayPort等,能够在不影响信号完整性和数据传输速率的前提下提供可靠的保护功能。该器件的响应时间极短,通常在纳秒级别,能够在ESD事件发生的瞬间迅速导通,将瞬态能量泄放到地。
  LESD8D5.0CHT5G的DFN-8封装形式具有紧凑的尺寸,适合空间受限的设计,同时具备良好的散热性能,能够承受较高的峰值电流而不至于损坏。该器件的双向保护结构使其可以灵活应用于正负双向信号线路的保护,无需考虑极性问题,大大简化了PCB布局和设计流程。
  在可靠性方面,LESD8D5.0CHT5G通过了AEC-Q101汽车级认证,适用于对质量和可靠性要求严格的工业和汽车电子应用。其工作温度范围覆盖-55°C至+150°C,能够适应各种严苛的环境条件。

应用

LESD8D5.0CHT5G广泛应用于需要高精度ESD保护的电子设备中,包括但不限于以下领域:
  ? 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机等设备中的USB接口、音频/视频接口和显示屏数据线保护。
  ? 工业控制系统:用于PLC、工业PC、数据采集系统等设备的通信接口保护,防止因静电或瞬态电压导致的系统故障。
  ? 汽车电子:适用于车载信息娱乐系统、导航系统、摄像头模块、CAN总线接口等汽车高速通信接口的ESD保护,满足汽车电子严格的可靠性要求。
  ? 通信设备:用于路由器、交换机、光模块等通信设备的高速数据线路保护,确保信号完整性与系统稳定性。
  ? 医疗设备:用于医疗监护仪、便携式诊断设备等医疗器械的数据接口保护,保障设备在复杂电磁环境中的稳定运行。

替代型号

LESD9D5.0ST、LESD8D5.0CUT5G、LESD8D5.0CV、PESD8D5.0H1BC

LESD8D5.0CHT5G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价