JB95A0045/1.6 时间：2025/7/22 6:58:22 阅读：13

JB95A0045/1.6 是一款常见的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该型号的MOSFET具备较低的导通电阻（Rds(on)）和高开关速度，适合用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统等应用场景。其封装形式通常为TO-220或类似的功率封装，以提供良好的散热性能和可靠性。

参数

型号：JB95A0045/1.6
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：45V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大漏极电流（Id）：80A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：约4.5mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

JB95A0045/1.6 MOSFET具有多个关键特性，使其在高性能电源应用中表现出色。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）可以显著降低导通损耗，提高电源转换效率，这对于高电流应用尤为重要。其次，该器件支持高达80A的连续漏极电流，能够处理高功率负载，适用于如DC-DC转换器、同步整流器和电机控制等应用。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（±20V），使其兼容多种驱动电路设计。其高耐压能力（45V漏源电压）确保了在高压环境下的稳定运行。封装方面，TO-220AB是一种常见的功率封装形式，具备良好的热管理性能，有助于散热，从而提高系统的可靠性和寿命。最后，该器件的工作温度范围宽（-55°C至+175°C），能够在极端环境下保持稳定性能，适用于工业、汽车和消费类电子设备。

应用

JB95A0045/1.6 MOSFET适用于多种电源管理和功率控制应用。常见的应用包括高效率DC-DC降压和升压转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（如电动车、电动工具）以及高功率LED驱动器。此外，该器件还可用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）系统和电源适配器等应用场景。由于其高电流能力和低导通损耗，JB95A0045/1.6特别适合需要高效能和高可靠性的设计，尤其是在需要频繁开关和高负载的电路中。