HY5V26FFP-HI 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款低电压CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件主要用于需要高速存取和低功耗的应用中,例如便携式设备、嵌入式系统、工业控制设备以及通信模块等。HY5V26FFP-HI是一款高密度、高速度的SRAM芯片,采用先进的CMOS工艺制造,具备优异的稳定性和可靠性。
存储容量:2Mbit(256K x 8)
电源电压:2.3V 至 3.6V
访问时间:55ns(最大)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
引脚数:52引脚
输入/输出接口:标准异步SRAM接口
读取电流(典型值):100mA
待机电流(典型值):10mA
HY5V26FFP-HI 是一款高性能的低电压静态随机存取存储器(SRAM),适用于需要快速数据访问和低功耗运行的多种应用场景。其主要特性之一是宽电压范围(2.3V 至 3.6V),使其适用于多种电源配置的系统设计。该芯片具备高速访问时间,最大可达55ns,确保了在高性能系统中的稳定运行。此外,该SRAM芯片的低待机电流特性使其非常适合用于电池供电设备,有助于延长设备续航时间。HY5V26FFP-HI 采用CMOS技术制造,具备良好的抗干扰能力和高稳定性,适合在工业级温度范围(-40°C 至 +85°C)内运行,适用于严苛的工业和通信环境。其TSOP封装形式不仅节省空间,还提高了机械稳定性和热性能,有助于提高整体系统的可靠性和耐用性。此外,该芯片支持标准异步SRAM接口,便于与多种微控制器、嵌入式处理器及其他外围设备集成,简化了硬件设计和开发流程。
HY5V26FFP-HI SRAM芯片广泛应用于多个领域,包括嵌入式系统、工业控制、通信设备、消费电子产品、医疗仪器和汽车电子等。在嵌入式系统中,该芯片常用于缓存存储、高速数据缓冲以及临时数据存储。在工业自动化和控制设备中,HY5V26FFP-HI 提供了可靠的高速存储支持,适用于实时数据采集和处理。此外,该芯片也适用于手持设备和无线通信模块,如Wi-Fi模块、蓝牙模块和RFID读写器,以满足低功耗和高速性能的需求。由于其工业级温度适应性和稳定性,HY5V26FFP-HI 还可用于户外设备和远程监控系统中。
IS61LV25616AL-55TLI, CY62148EVLL-45ZSXI, A2V26F10HI