HY5V26FFP-HI 时间：2025/9/1 21:35:57 阅读：23

HY5V26FFP-HI 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款低电压CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件主要用于需要高速存取和低功耗的应用中，例如便携式设备、嵌入式系统、工业控制设备以及通信模块等。HY5V26FFP-HI是一款高密度、高速度的SRAM芯片，采用先进的CMOS工艺制造，具备优异的稳定性和可靠性。

参数

存储容量：2Mbit（256K x 8）
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：55ns（最大）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数：52引脚
　　输入/输出接口：标准异步SRAM接口
　　读取电流（典型值）：100mA
　　待机电流（典型值）：10mA

特性

HY5V26FFP-HI 是一款高性能的低电压静态随机存取存储器（SRAM），适用于需要快速数据访问和低功耗运行的多种应用场景。其主要特性之一是宽电压范围（2.3V 至 3.6V），使其适用于多种电源配置的系统设计。该芯片具备高速访问时间，最大可达55ns，确保了在高性能系统中的稳定运行。此外，该SRAM芯片的低待机电流特性使其非常适合用于电池供电设备，有助于延长设备续航时间。HY5V26FFP-HI 采用CMOS技术制造，具备良好的抗干扰能力和高稳定性，适合在工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）内运行，适用于严苛的工业和通信环境。其TSOP封装形式不仅节省空间，还提高了机械稳定性和热性能，有助于提高整体系统的可靠性和耐用性。此外，该芯片支持标准异步SRAM接口，便于与多种微控制器、嵌入式处理器及其他外围设备集成，简化了硬件设计和开发流程。

应用

HY5V26FFP-HI SRAM芯片广泛应用于多个领域，包括嵌入式系统、工业控制、通信设备、消费电子产品、医疗仪器和汽车电子等。在嵌入式系统中，该芯片常用于缓存存储、高速数据缓冲以及临时数据存储。在工业自动化和控制设备中，HY5V26FFP-HI 提供了可靠的高速存储支持，适用于实时数据采集和处理。此外，该芯片也适用于手持设备和无线通信模块，如Wi-Fi模块、蓝牙模块和RFID读写器，以满足低功耗和高速性能的需求。由于其工业级温度适应性和稳定性，HY5V26FFP-HI 还可用于户外设备和远程监控系统中。