类型：DRAM
　　子类型：SDRAM
　　容量：512Mbit（64MB）
　　组织结构：x16
　　电压：1.8V
　　时钟频率：166MHz
　　封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
　　引脚数：54pin
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　数据总线宽度：16位
　　接口标准：SSTL_2
　　存储架构：DRAM

HY5S5A6DLF-SE是一款专为高性能系统设计的DRAM芯片，具有较高的数据传输速率和较低的功耗特性。其工作电压为1.8V，有助于在便携式设备和低功耗应用中实现节能设计。该芯片支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）模式，能够在不丢失数据的情况下进入低功耗状态，非常适合需要长时间运行的设备。
　　此外，HY5S5A6DLF-SE采用TSOP封装技术，具有良好的电气性能和热稳定性，适合在高密度电路板上使用。其166MHz的时钟频率使其能够支持高速数据访问，适用于图形处理、嵌入式系统、网络设备和消费类电子产品等多种应用场景。
　　该芯片还具备较高的可靠性和稳定性，能够在工业级温度范围内正常工作（-40°C至+85°C），适用于各种严苛环境条件下的应用需求。

HY5S5A6DLF-SE广泛应用于需要高速数据存储和处理的各类电子设备中，包括但不限于：
　　1. 网络设备（如路由器、交换机）
　　2. 图形处理器和显示模块
　　3. 嵌入式系统和工业控制设备
　　4. 高端消费电子产品（如智能电视、游戏机）
　　5. 通信设备和服务器内存模块
　　6. 多媒体播放器和图像处理设备

HY5PS5616AFA-S5、K4S561632E-BCB5、MT48LC16M5A2B4-6A、IS42S16800B-6BLI