时间：2025/9/2 4:30:15
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H5AN8G6NCJR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高带宽存储解决方案的一部分。这款芯片通常用于高性能计算、图形处理以及需要大量数据吞吐的应用场景。其具体容量和规格使得它在现代电子设备中扮演着重要角色。
容量：8GB
类型：DRAM
封装类型：BGA
引脚数：256
电压：1.2V
频率：2400MHz
延迟：CL17
带宽：19.2GB/s
H5AN8G6NCJR 芯片具备高带宽和低延迟的特性，这使得它在需要快速数据访问的应用中表现优异。其高带宽特性主要得益于2400MHz的频率和19.2GB/s的数据传输速率，能够显著提升系统性能。此外，该芯片的CL17延迟值也表明其响应速度较快，有助于减少数据等待时间。
低电压设计（1.2V）不仅降低了功耗，还减少了热量的产生，这对于维持设备的稳定运行和延长电池寿命非常重要。尤其是在移动设备和高性能计算平台中，节能特性尤为关键。
该芯片采用256引脚的BGA封装形式，这种封装方式提供了更好的电气性能和机械稳定性，适用于高密度电路板设计。
H5AN8G6NCJR 芯片广泛应用于高性能计算、图形处理单元（GPU）、服务器、工作站以及高端游戏设备等需要高带宽内存的场景。在这些应用中，快速的数据处理能力至关重要。例如，在图形处理中，该芯片能够提供足够的带宽来支持复杂的3D渲染任务，而在服务器和工作站中，它能够处理大量的并发数据请求，确保系统的高效运行。此外，该芯片也可用于某些需要大容量内存的嵌入式系统。
H5AN8G6NBJR, H5AN8G6NBJR-BR
