时间：2025/8/13 18:08:32
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HY5PS561621BFPS5 是一款由现代（Hynix）公司生产的高性能、低功耗的移动式双倍数据速率随机存取存储器（Mobile DDR SDRAM），专为移动设备和嵌入式系统设计。这款芯片在移动通信、便携式电子产品中广泛应用，提供高速数据处理能力和良好的能效比。
容量：256MB
电压：1.8V
接口类型：x16
工作温度：-40°C至+85°C
封装类型：FBGA
时钟频率：166MHz
数据速率：333Mbps
数据总线宽度：16位
HY5PS561621BFPS5 的核心特性包括低电压设计（1.8V）以降低功耗，适合电池供电设备的使用。其Mobile DDR SDRAM架构支持在时钟信号的上升沿和下降沿传输数据，从而显著提高数据吞吐量，达到333Mbps的数据速率。这款芯片采用x16配置，数据总线宽度为16位，可提供更高的数据传输效率。此外，其支持的时钟频率为166MHz，能够在保证性能的同时降低功耗。
封装形式为FBGA（细间距球栅阵列封装），这种封装形式不仅能够提供更高的封装密度，还能减少引脚间的电感和信号干扰，从而提高电气性能。该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种恶劣的工作环境，确保了其在极端条件下的稳定性。
HY5PS561621BFPS5 在低功耗模式下具备多种节能特性，例如自刷新模式（Self-Refresh Mode）和深度掉电模式（Deep Power-Down Mode），这些模式能够有效延长设备的电池续航时间，非常适合用于智能手机、平板电脑等移动设备。
该芯片广泛应用于移动设备如智能手机、平板电脑、便携式游戏机等需要低功耗和高性能存储解决方案的场景。此外，HY5PS561621BFPS5 也适用于各类嵌入式系统，包括工业控制设备、车载导航系统、手持式测试仪器等。其低功耗设计和高性能特性使其成为移动通信设备的理想选择。
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