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GA1206Y274JXXBT31G 发布时间 时间:2025/5/24 21:46:44 查看 阅读:14

GA1206Y274JXXBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用领域。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,从而提升了整体系统的效率和性能。
  该芯片具有出色的热稳定性和可靠性,适用于需要高电流承载能力和快速动态响应的应用场景。同时,其封装设计紧凑,有助于减少 PCB 占用面积。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:65nC
  开关速度:15ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA1206Y274JXXBT31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够显著降低功耗并提升系统效率。
  2. 高速开关能力,支持高频电路设计,减少磁性元件体积。
  3. 内置反向恢复二极管,优化了续流性能,特别适合于同步整流和电机驱动应用。
  4. 强大的雪崩能量吸收能力,提高了器件在异常情况下的鲁棒性。
  5. 宽泛的工作温度范围,确保在极端环境下的稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
  2. 工业设备中的电机驱动控制电路。
  3. 电动汽车及混合动力汽车的电池管理系统。
  4. 高效 DC-DC 转换器的核心功率级元件。
  5. 大功率 LED 驱动器中的电流调节模块。
  6. 太阳能逆变器中的功率转换组件。

替代型号

IRF3205, FDP5800, AOT460, STP30NF06

GA1206Y274JXXBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.27 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-