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DMT69M8LPS-13 发布时间 时间:2025/6/6 16:34:44 查看 阅读:4

DMT69M8LPS-13是一款基于CMOS工艺的高精度、低功耗模拟开关芯片,广泛应用于各种需要信号切换和隔离的场合。该芯片具有出色的电气性能和可靠性,适用于工业控制、通信设备以及消费类电子产品等领域。
  其设计采用了先进的封装技术,确保在小尺寸的同时提供卓越的电气特性。此外,DMT69M8LPS-13还支持宽电压范围的工作模式,能够适应多种供电环境。

参数

工作电压:1.8V至5.5V
  导通电阻:2Ω(典型值)
  带宽:400MHz(-3dB)
  开关时间:3ns(典型值)
  静态电流:1μA(最大值)
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  封装形式:SOT-23-6

特性

DMT69M8LPS-13具备以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻和电容,有助于减少信号失真并提升系统性能。
  2. 高速开关能力,适合高频信号处理应用。
  3. 低功耗设计,非常适合电池供电的便携式设备。
  4. 宽工作电压范围,兼容性更强,可满足不同应用场景需求。
  5. 小型化封装,节省PCB空间,便于实现高密度设计。
  6. 高可靠性和稳定性,能够在极端温度条件下正常运行。

应用

DMT69M8LPS-13主要应用于以下领域:
  1. 数据通信与网络设备中的信号路由。
  2. 消费类电子产品如智能手机、平板电脑中的音频/视频切换。
  3. 工业自动化控制系统中传感器信号的切换。
  4. 医疗设备中的信号隔离与处理。
  5. 测试测量仪器中的多路复用器功能。
  6. 高速数据传输系统的信号分配与管理。

替代型号

DMT69M8LPS-12, DMT69M8LPS-14, DMT69M8LPS-15

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DMT69M8LPS-13参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10.2A(Ta),70A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)12 毫欧 @ 13.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)33.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±16V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1925 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.3W(Ta),113W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerDI5060-8
  • 封装/外壳8-PowerTDFN