IRL3103PBF 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用了先进的 Trench 工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。它通常用于需要高效能、低损耗的应用场景中,如 DC-DC 转换器、电机驱动器、负载开关和电源管理电路等。
IRL3103PBF 的封装形式为 SO-8(表面贴装),这种封装方式使得其在紧凑型设计中非常受欢迎。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:27A
导通电阻(Rds(on)):5.5mΩ(典型值,当 Vgs=10V 时)
栅极电荷:29nC(典型值)
输入电容:1690pF(典型值)
总功耗:25W
工作结温范围:-55°C 至 +175°C
IRL3103PBF 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),使其能够在高电流应用中减少传导损耗,提高效率。
2. 高开关速度,适用于高频开关应用,减少开关损耗。
3. 栅极阈值电压较低,适合逻辑电平驱动,简化了与数字控制电路的接口设计。
4. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
5. 热稳定性强,能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
6. 小型化的 SO-8 封装设计,节省 PCB 空间,适合空间受限的设计需求。
IRL3103PBF 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器,包括降压、升压和反激拓扑。
3. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
4. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动。
5. 可再生能源系统,例如太阳能逆变器中的功率转换模块。
6. 各种便携式电子设备中的电源管理单元。
IRLZ44N, FDS6670A, AO3400A