容量：16Mb
　　组织方式：16位 x 1M
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：22ns（最大）
　　封装类型：56-TSOP
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　工作频率：最高可达约45MHz（基于访问时间）
　　数据保持时间：自动刷新模式下64ms
　　功耗：低功耗CMOS工艺
　　接口类型：异步SRAM接口
　　封装尺寸：约18.4mm x 12.0mm

HY5PS561621BFP-22是一款高性能的PSRAM存储器，其核心特性在于结合了DRAM的高密度存储能力和SRAM的简易接口设计。这种设计使得它在嵌入式系统中特别受欢迎，尤其是在那些希望使用外部存储器但又不想引入复杂DRAM控制器的应用中。该器件的异步接口与传统的SRAM兼容，允许其直接连接到微控制器或DSP的外部存储器接口，从而简化了硬件设计并降低了系统复杂性。
　　该芯片的工作电压范围较宽（2.3V至3.6V），支持多种电源供应条件下的稳定运行，适用于多种便携式设备和嵌入式系统。其低功耗特性在待机模式下尤为显著，有助于延长电池供电设备的续航时间。此外，HY5PS561621BFP-22支持自动刷新功能，数据保持时间可达64ms，确保了数据在无需频繁刷新的情况下仍能保持完整。
　　这款PSRAM器件的封装形式为56-TSOP，体积小巧，适合空间受限的设计需求。其工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在恶劣的环境条件下可靠运行，适用于工业自动化、通信设备、消费电子等多个领域。

HY5PS561621BFP-22广泛应用于需要外部存储器扩展的嵌入式系统中，例如手持式电子设备、智能卡终端、工业控制设备、数据采集系统、医疗设备、无线通信模块、图像处理模块和汽车电子系统等。其低功耗、小尺寸和宽电压范围的特性使其成为电池供电设备和便携式系统的理想选择。

IS66WV51216FFALL、CY7C1019CV33、AS7C31026C、ISSI IS61LV25616AL