时间：2025/5/21 14:12:32
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MSW8535N-LF是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率开关器件，主要应用于高频电源转换和射频功率放大领域。该芯片采用先进的封装工艺，能够提供卓越的热性能和电气特性。其设计目的是为了满足新一代高效能电源系统的需求，适用于工业、通信以及消费电子等领域。
该器件具有极低的导通电阻和快速的开关速度，可以显著减少开关损耗并提升整体效率。此外，它还具备出色的耐用性和可靠性，在高温和高频率工作条件下表现优异。
型号：MSW8535N-LF
类型：功率开关
材料：氮化镓（GaN）
额定电压：650V
额定电流：35A
导通电阻：70mΩ
开关频率：最高可达10MHz
封装形式：LF系列
工作温度范围：-55℃至+175℃
存储湿度：≤90%（无凝结）
1. 高效的氮化镓技术，可实现更快的开关速度和更低的开关损耗。
2. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗。
3. 支持高达10MHz的开关频率，适合高频应用环境。
4. 优秀的热管理能力，确保在高功率密度下的稳定运行。
5. 提供全面的保护功能，包括过流保护、短路保护和过温关断等。
6. 小型化的封装设计，便于集成到紧凑型系统中。
7. 广泛的工作温度范围，适应各种严苛的应用场景。
1. 高频DC-DC转换器
2. 开关电源（SMPS）
3. 射频功率放大器
4. 电动汽车充电设备
5. 太阳能逆变器
6. 工业电机驱动器
7. 数据中心供电模块
8. 通信基站功率放大
9. 消费类快充适配器
MSW8530N-HD, GAN042-650WSB
