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HY5PS1G831CLFP-Y5 发布时间 时间:2025/9/1 14:38:07 查看 阅读:5

HY5PS1G831CLFP-Y5 是由SK Hynix(海力士)生产的一款高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于低功耗DDR3(LPDDR3)系列,广泛用于移动设备、嵌入式系统、笔记本电脑等对功耗和性能有较高要求的应用场景。该型号的封装形式为FBGA,具有较高的集成度和稳定性。

参数

容量:1Gb(128MB)
  组织结构:x8
  电压:1.2V - 1.5V(根据工作模式不同)
  时钟频率:800MHz - 1600MHz(等效速率:800Mbps - 1600Mbps)
  封装类型:FBGA
  引脚数:128
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  数据宽度:8位
  接口类型:LPDDR3 SDRAM

特性

HY5PS1G831CLFP-Y5 是一款低功耗DDR3 SDRAM芯片,专为便携式和高能效设备设计。其主要特性包括低电压运行、高速数据传输以及紧凑的封装形式。芯片支持多种工作频率模式,能够根据系统需求自动调整功耗,从而延长电池续航时间。此外,该器件支持温度补偿自刷新(TCSR)功能,能够在高温环境下保持数据完整性,同时降低功耗。
  该芯片还具备自适应导通延迟(DLL)功能,以确保在高速运行时的时序稳定性。其封装形式采用128-ball FBGA,适合高密度PCB布局,并具备良好的散热性能。HY5PS1G831CLFP-Y5 的设计目标是提供高性能与低功耗的平衡,使其成为智能手机、平板电脑、工业控制系统等设备的理想选择。

应用

HY5PS1G831CLFP-Y5 广泛应用于各种高性能、低功耗要求的电子设备中。常见应用场景包括智能手机、平板电脑、嵌入式系统、工业计算机、便携式医疗设备以及车载电子系统。由于其支持宽频率范围和低电压运行,该芯片非常适合需要长时间续航和高效数据处理能力的移动设备。此外,其良好的温度适应性和封装尺寸也使其适用于空间受限和对可靠性有较高要求的工业和汽车应用。

替代型号

MT48LC16M16A2B4-6A, K4B2G1646Q-HY09, W949D6KBHX6E

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