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2EZ82D5 发布时间 时间:2025/5/20 21:04:29 查看 阅读:3

2EZ82D5是一种双基极二极管,属于变容二极管的一种。它主要利用PN结的电容特性,在不同的反向偏置电压下呈现不同的电容量,常用于调谐电路、倍频器以及混频器等高频电路中。这类二极管在通信设备、电视接收机和无线遥控装置中有着广泛的应用。
  该型号二极管以其较高的频率响应和稳定性而著称,适用于要求高精度和高可靠性的场景。

参数

最大反向工作电压:15V
  最大正向电流:10mA
  结电容(零偏压):约30pF
  最大耗散功率:50mW
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

2EZ82D5具有以下显著特性:
  1. 高频响应能力:由于其特殊的结构设计,可以在高频环境下稳定工作,适合射频应用。
  2. 稳定性好:即使在极端温度条件下,该器件也能保持较好的性能一致性。
  3. 低噪声特性:其内部结构优化,能够有效降低噪声干扰,从而提高信号质量。
  4. 小尺寸封装:便于集成到各种小型化电子设备中,节省空间。
  5. 可靠性高:通过严格的质量控制流程生产,确保长期使用中的可靠性。

应用

2EZ82D5的主要应用场景包括:
  1. 调谐电路:作为变容二极管,用于实现自动频率控制(AFC)或频率合成器的功能。
  2. 倍频器:在微波通信系统中,用于生成更高频率的信号。
  3. 混频器:在无线电接收机中,用于将接收到的高频信号转换为中频信号。
  4. 电视调谐器:用于调节频道,适应不同频率的电视信号。
  5. 遥控发射器:在无线遥控设备中,用于产生稳定的载波信号。

替代型号

BAV99, 1SV167

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2EZ82D5参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)82V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 200mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电500nA @ 62.2V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大2W
  • 阻抗(最大)(Zzt)100 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳DO-204AL,DO-41,轴向
  • 供应商设备封装DO-41(DO-204AL)
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称2EZ82D5DO412EZ82D5DO41MSTR2EZ82D5DO41MSTR-ND2EZ82D5MSTR