MMBZ5226BTW_R1_00001是一款表面贴装型齐纳二极管(Zener Diode),由ROHM Semiconductor生产。这款齐纳二极管采用SOT-23封装,适用于各种电压调节和保护电路应用。其主要功能是在电路中提供一个稳定的参考电压,并能防止电路因过电压而损坏。MMBZ5226BTW_R1_00001具有良好的稳定性和较小的封装尺寸,非常适合用于空间受限的便携式电子设备中。
类型:齐纳二极管
封装类型:SOT-23
齐纳电压:3.3V
最大耗散功率:300mW
最大齐纳电流:100mA
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
存储温度范围:-55°C ~ 150°C
引脚数:3
极性:单极
反向漏电流:100nA(最大)@ VR
齐纳阻抗:20Ω(最大)@ IZT
MMBZ5226BTW_R1_00001齐纳二极管的主要特性是提供一个精确且稳定的参考电压,适用于低功率电压调节应用。该器件在额定电流下能保持电压的稳定性,具有较低的动态阻抗,从而减少了电压波动的影响。其SOT-23封装不仅节省空间,还提供了良好的热性能和机械强度。此外,该齐纳二极管具有较低的反向漏电流,确保在非工作状态下不会对电路造成不必要的功耗。由于其出色的稳定性和可靠性,MMBZ5226BTW_R1_00001广泛应用于各种电子设备中的电压参考和保护电路中。
MMBZ5226BTW_R1_00001齐纳二极管常用于电源管理电路、电压参考源、过压保护电路以及各种便携式电子设备中的稳压应用。它可以在微处理器、传感器、ADC/DAC电路以及其他需要稳定电压的场合中使用。此外,该器件也适用于电池供电设备、通信模块、消费类电子产品和工业控制系统等应用场景。
MMBZ5226BHT1G, MMSZ5226B, 1N4728A