容量：2Gb
　　类型：LPDDR3 SDRAM
　　数据宽度：16位
　　电压：1.8V/1.5V（核心电压）
　　时钟频率：最高可达800MHz
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：124
　　温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装尺寸：6.0mm x 8.0mm
　　工作温度：-40°C至+85°C

HY5PS1G1631CLFP-S6I是一款专为移动设备优化的低功耗DRAM芯片。其LPDDR3接口标准提供了高达800MHz的时钟频率，确保了高速数据传输能力，同时通过降低工作电压来减少能耗，适用于对功耗敏感的便携式电子产品。该芯片支持多种低功耗模式，如预充电功耗降低模式、自刷新模式等，进一步延长设备电池寿命。
　　此外，HY5PS1G1631CLFP-S6I采用了先进的CMOS制造工艺，提高了数据稳定性和抗干扰能力。其FBGA封装不仅节省空间，还能有效散热，适用于高密度电路板设计。该芯片内部集成了模式寄存器（Mode Register），允许用户根据具体应用需求调整工作模式和时序参数，提高了灵活性和兼容性。
　　该DRAM芯片还具备良好的温度适应性，能够在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定运行，适用于各种恶劣环境条件下的电子设备。其16位数据宽度设计，使其在性能与成本之间取得了良好的平衡，广泛用于主流移动设备和嵌入式系统。

HY5PS1G1631CLFP-S6I主要应用于需要高性能与低功耗结合的便携式电子设备。例如，它广泛用于智能手机、平板电脑、超极本、智能穿戴设备、嵌入式系统和工业控制设备。此外，该芯片也适用于网络设备、多媒体播放器、车载信息娱乐系统以及需要大容量缓存的图像处理设备。由于其出色的稳定性和宽温适应能力，HY5PS1G1631CLFP-S6I也可用于工业自动化、安防监控和医疗电子等对可靠性要求较高的应用场景。

MT48LC16M16A2B4-6A, EMIF0832E6BF-60H, K4APG1632BB-BC20