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CDR31BX152BMZSAT 发布时间 时间:2025/6/30 14:04:41 查看 阅读:9

CDR31BX152BMZSAT 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的 MOSFET 芯片,主要用于高功率和高频应用。它具有低导通电阻、快速开关速度以及高耐压能力等特性,非常适合工业电源、新能源汽车、光伏逆变器以及其他高效率电力电子系统。
  该芯片采用先进的封装技术以提升散热性能和电气连接可靠性,同时确保在极端温度和高频工作条件下的稳定性。

参数

最大漏源电压:1700V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:9mΩ
  栅极电荷:160nC
  开关频率:100kHz
  结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 高耐压能力(高达1700V),适用于高压环境下的电力转换应用。
  2. 极低的导通电阻(仅为9mΩ),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  3. 快速开关特性,支持高达100kHz的开关频率,减少磁性元件体积。
  4. 碳化硅材料提供更高的热稳定性和更小的尺寸设计,从而实现更紧凑的解决方案。
  5. 优异的高温性能,在极端温度条件下仍能保持稳定的电气特性。
  6. 内置保护功能,包括过流保护和短路保护,提升了器件的可靠性和安全性。

应用

1. 工业电源设备,例如不间断电源(UPS) 和电机驱动器。
  2. 新能源领域,如电动车充电站、车载逆变器和牵引逆变器。
  3. 光伏逆变器及风力发电系统中的功率转换模块。
  4. 高频DC-DC转换器和其他高效率电力电子系统。
  5. 激光雷达(LiDAR)和高性能计算中的电源管理单元。

替代型号

CDR31BX120BMZSAT
  CDR31BX150BMZSAT
  CDR31BX180BMZSAT

CDR31BX152BMZSAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1500 pF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数BX
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率S(0.001%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"(1.30mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-