时间：2025/6/30 14:04:41
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CDR31BX152BMZSAT 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的 MOSFET 芯片，主要用于高功率和高频应用。它具有低导通电阻、快速开关速度以及高耐压能力等特性，非常适合工业电源、新能源汽车、光伏逆变器以及其他高效率电力电子系统。
该芯片采用先进的封装技术以提升散热性能和电气连接可靠性，同时确保在极端温度和高频工作条件下的稳定性。
最大漏源电压：1700V
连续漏极电流：40A
导通电阻：9mΩ
栅极电荷：160nC
开关频率：100kHz
结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 高耐压能力（高达1700V），适用于高压环境下的电力转换应用。
2. 极低的导通电阻（仅为9mΩ），有助于降低传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关特性，支持高达100kHz的开关频率，减少磁性元件体积。
4. 碳化硅材料提供更高的热稳定性和更小的尺寸设计，从而实现更紧凑的解决方案。
5. 优异的高温性能，在极端温度条件下仍能保持稳定的电气特性。
6. 内置保护功能，包括过流保护和短路保护，提升了器件的可靠性和安全性。
1. 工业电源设备，例如不间断电源(UPS) 和电机驱动器。
2. 新能源领域，如电动车充电站、车载逆变器和牵引逆变器。
3. 光伏逆变器及风力发电系统中的功率转换模块。
4. 高频DC-DC转换器和其他高效率电力电子系统。
5. 激光雷达（LiDAR）和高性能计算中的电源管理单元。
CDR31BX120BMZSAT
CDR31BX150BMZSAT
CDR31BX180BMZSAT
