时间：2025/9/2 9:39:39
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HY5PS1G1631CFR-25 是由现代（Hynix，现为SK Hynix）公司生产的一款高性能DRAM芯片。该芯片属于1Gbit（128MB）容量的移动型LPDDR3 SDRAM（低功耗双倍数据速率第三代同步动态随机存取存储器），主要设计用于移动设备，如智能手机、平板电脑以及其他对功耗和空间有较高要求的便携式电子产品。其采用16位数据宽度（x16）接口，支持低电压运行，能够有效延长电池寿命。
容量：1Gbit
类型：LPDDR3 SDRAM
数据宽度：16位
封装类型：FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）
电压：1.2V - 1.5V（通常）
时钟频率：高达667MHz
数据速率：1600Mbps
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装尺寸：6.5mm x 6.5mm
封装引脚数：96 balls
封装技术：移动型微型BGA
HY5PS1G1631CFR-25 采用了先进的DRAM制造工艺，具备出色的性能和低功耗特性，非常适合移动设备和便携式电子产品使用。该芯片支持LPDDR3标准的全部功能，包括自动刷新、自刷新、温度补偿自刷新（TCSR）、深度掉电模式（DPD）等，能够在不同工作环境下维持稳定的数据存储与访问。其高速数据传输能力（高达1600Mbps）可满足对系统性能有高要求的应用场景。此外，该芯片的封装形式为微型FBGA，具有较小的封装尺寸和良好的热性能，适用于高密度PCB布局。
在功能方面，HY5PS1G1631CFR-25支持多种低功耗模式，包括预充电掉电模式、活动掉电模式以及深度掉电模式，从而在系统空闲或待机时显著降低功耗。其支持的温度补偿自刷新技术可以在高温环境下延长刷新周期，进一步减少功耗。此外，该芯片具备良好的兼容性，能够与多种移动处理器和SoC平台无缝配合使用。
HY5PS1G1631CFR-25 主要应用于中高端智能手机、平板电脑、嵌入式系统、便携式游戏设备、工业控制设备以及其他需要高性能、低功耗内存的电子产品中。由于其高速、低电压和小型化封装的特性，特别适合对空间和功耗敏感的设计。在移动设备中，该芯片通常作为系统内存（RAM）用于临时数据存储和处理，以提升系统响应速度和运行效率。
HY5PS1G1631CFR-25S
