时间：2025/9/16 14:51:46
阅读：15
PSMN5R6-100PS 是一款由 NXP（恩智浦）公司制造的功率 MOSFET，属于 N 沟道增强型晶体管。该器件设计用于高功率应用，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于诸如电源转换器、电机驱动、LED 照明、汽车电子等高要求的工业和消费类电子产品。PSMN5R6-100PS 采用先进的沟槽技术，提供优异的热性能和电气性能，使其在高负载条件下依然保持稳定。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
最大连续漏极电流（Id）：160 A
导通电阻 Rds(on)：5.6 mΩ（典型值）
封装类型：PowerSO-10
工作温度范围：-55°C 至 175°C
功率耗散（Ptot）：130 W
PSMN5R6-100PS 具备多项卓越特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）仅为 5.6 mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。这种低 Rds(on) 特性使得该器件适用于高电流应用场景，例如 DC-DC 转换器、电池管理系统和电动工具等。此外，该 MOSFET 采用先进的沟槽技术，提升了导电能力和热稳定性。
其次，PSMN5R6-100PS 具有高电流承载能力，其最大连续漏极电流可达 160 A。这种高电流能力使其适用于高功率密度设计，如电动汽车充电系统和大功率 LED 驱动器。同时，该器件支持宽范围的栅极电压控制（±20 V），增强了设计灵活性和兼容性。
再者，该 MOSFET 的 PowerSO-10 封装不仅提供了良好的热管理性能，还具备较高的机械稳定性和可靠性。其工作温度范围为 -55°C 至 175°C，确保在极端环境条件下仍能稳定运行。此外，该器件具有较低的开关损耗，适用于高频开关应用，如谐振转换器和同步整流器。
最后，PSMN5R6-100PS 在制造过程中采用了严格的工艺控制，确保了产品的一致性和长期可靠性。这使得它在汽车电子、工业自动化和可再生能源系统等对可靠性要求极高的应用中表现出色。
PSMN5R6-100PS 广泛应用于多个领域。在电源管理方面，它常用于高功率 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关电路中，提供高效能和稳定输出。在电机驱动应用中，该 MOSFET 可用于直流电机控制、步进电机驱动和无刷电机控制，其高电流能力确保了电机运行的稳定性和效率。此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS），特别是在电动汽车和储能系统中，用于电池充放电控制和保护电路。
在 LED 照明系统中，PSMN5R6-100PS 可用于高功率 LED 驱动器，提供恒流控制和高效的功率转换。在工业自动化系统中，该 MOSFET 常用于 PLC 输出模块、继电器驱动和高精度传感器供电电路。由于其优异的热管理和高频响应能力，该器件也适用于高频开关电源和电源适配器设计。此外，在汽车电子应用中，PSMN5R6-100PS 被广泛用于车载充电系统、车身电子控制单元和电动助力转向系统。
SiMOSFET: IPB180N10N3 G, INF101N15NS3KSA1, STP150N10F7
