时间：2025/9/2 4:21:55
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HY5PS12821FP-E3 是由SK hynix（海力士）生产的一款高性能、低功耗的移动式动态随机存取存储器（Mobile DRAM）芯片，属于LPDDR2 SDRAM类别。该芯片专为便携式电子设备设计，如智能手机、平板电脑和嵌入式系统，具有较高的数据传输速率和较低的工作电压，有助于提升设备的性能并延长电池续航时间。
类型：LPDDR2 SDRAM
容量：128MB
数据宽度：16位
电压：1.2V - 1.5V（I/O电压可调）
时钟频率：最高可达533MHz
数据速率：1066Mbps（每秒百万次传输）
封装形式：FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装尺寸：108-ball FBGA
HY5PS12821FP-E3 采用先进的移动DRAM技术，能够在低电压条件下实现高速数据传输。其1.2V至1.5V的可调I/O电压设计使其能够适应不同系统的电源管理需求，从而优化功耗。此外，该芯片支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式、自刷新模式和预充电掉电模式，适用于对功耗敏感的移动设备。
该器件采用16位数据总线宽度，提供128MB的存储容量，并可在533MHz的时钟频率下运行，实现高达1066Mbps的数据传输速率。这使得它非常适合用于需要高速数据处理的应用场景，如图形处理、视频播放和多任务操作系统。
封装方面，HY5PS12821FP-E3 采用108-ball FBGA封装，具有良好的热性能和电气性能，适合高密度PCB布局。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种工业级和消费级应用环境。
HY5PS12821FP-E3 主要应用于移动通信设备和嵌入式系统，如智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器、智能穿戴设备和工业控制设备。其低功耗和高性能特性使其成为需要高效能内存解决方案的移动平台的理想选择。此外，由于其紧凑的封装形式和出色的电气性能，它也适用于空间受限和功耗敏感的设计方案。
HY5PS1G161EFR-E3（128MB LPDDR2）、MT48LC16M1A2B4-106A（128MB LPDDR2）、K4P51324QE-FGC12（128MB LPDDR2）
