时间：2025/7/22 9:40:13
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SWI100N03是一款高性能的N沟道功率MOSFET，适用于需要高效率和低导通电阻的电源管理应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供优异的导通性能和开关特性。SWI100N03广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100A
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
SWI100N03具备超低导通电阻，能够在高电流条件下保持较低的功率损耗，提高整体系统效率。其先进的沟槽技术增强了器件的热稳定性，确保在高温环境下可靠运行。此外，该MOSFET具有快速开关能力，减少开关损耗，适用于高频操作。SWI100N03还内置了静电放电（ESD）保护功能，提高了器件的耐用性和可靠性。
在封装方面，SWI100N03采用了高效的散热设计，有助于快速散发工作过程中产生的热量，确保长期稳定运行。该器件符合RoHS环保标准，适合无铅工艺制造。
SWI100N03主要用于高性能电源管理领域，例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池充电管理系统以及电机控制模块。此外，它还适用于工业自动化设备、服务器电源、储能系统和电动汽车中的电源转换模块。由于其高效率和低损耗特性，SWI100N03也广泛用于高功率LED驱动电路和负载开关电路中。
IRF1010N, STP100N3LL, FDP100N30L
