时间：2025/9/2 4:23:19
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HY5PS12821AFP-Y5 是由现代（Hynix，现为SK Hynix）生产的一款高性能、低功耗的移动型动态随机存取存储器（Mobile DRAM）芯片，专为移动设备和便携式电子产品设计。该芯片属于LPDDR2（Low Power Double Data Rate 2）类型，容量为1Gb（128M x 8），采用FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装，具备高速数据传输能力，并支持多种低功耗模式，适用于智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器等对功耗和性能均有较高要求的应用场景。
容量：1Gb（128M x 8）
内存类型：LPDDR2 SDRAM
封装类型：FBGA
工作电压：1.2V - 1.8V
数据速率：800Mbps
数据宽度：8位
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
时钟频率：400MHz
封装尺寸：108-ball FBGA
JEDEC标准：兼容
HY5PS12821AFP-Y5 采用先进的移动DRAM技术，具有出色的低功耗特性，适用于电池供电设备。其工作电压范围为1.2V至1.8V，分别用于核心电压（VDD）和I/O电压（VDDQ），从而在不同工作状态下实现节能优化。该芯片支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式、预充电功率下降模式和自刷新模式，显著延长设备电池寿命。
此外，HY5PS12821AFP-Y5 支持800Mbps的数据传输速率和400MHz的时钟频率，具备出色的性能表现，适用于需要快速数据处理的移动设备。其108-ball FBGA封装结构紧凑，有助于节省PCB空间，适合高密度电路设计。芯片符合JEDEC标准，确保与各类主控芯片的兼容性和稳定性。
HY5PS12821AFP-Y5 主要用于各种移动设备和嵌入式系统，包括智能手机、平板电脑、便携式游戏机、数码相机、MP4播放器以及工业控制设备。其低功耗、高性能的特性使其成为对电池寿命和运行效率有较高要求的应用的理想选择。在智能手机中，该芯片可作为主内存（RAM）用于临时存储操作系统、应用程序和用户数据，确保设备运行流畅；在嵌入式系统中，它可用于缓存数据、提升图像处理速度或增强多任务处理能力。此外，HY5PS12821AFP-Y5 还适用于需要快速响应和高数据吞吐量的物联网（IoT）设备和可穿戴电子产品。
HY5PS1G161AFP-Y5, MT48LC16M16A2B4-6A, K4P5G324EB-FGC1
