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SI1302DL-T1 发布时间 时间:2025/4/30 9:50:59 查看 阅读:7

SI1302DL-T1 是一款由 Vishay 提供的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管,采用小型化 SOT-23-6L 封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合在空间受限的应用中使用,如便携式设备、电源管理模块以及信号切换电路。
  其设计目的是为了实现高效的功率转换和更低的功耗,同时保持出色的热性能和电气稳定性。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:1.5A
  导通电阻(典型值):75mΩ
  栅极电荷:1.5nC
  开关时间:t_on=10ns,t_off=15ns
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:SOT-23-6L

特性

1. 低导通电阻 (Rds(on)) 设计,减少功率损耗并提高效率。
  2. 快速开关能力支持高频应用。
  3. 高度集成的小型封装节省电路板空间。
  4. 具备优异的热稳定性和可靠性。
  5. 可承受较高的漏极电流,适用于多种负载条件。
  6. 宽工作温度范围适应恶劣环境下的使用需求。

应用

该芯片广泛应用于各类需要高效功率控制的场合,包括但不限于以下领域:
  1. 移动设备中的负载开关和电池保护电路。
  2. DC-DC 转换器及电源管理模块。
  3. 信号切换与隔离电路。
  4. 消费类电子产品中的功率调节单元。
  5. 工业自动化设备中的小型化功率驱动电路。
  6. LED 驱动和背光控制电路。

替代型号

SI1303DL-T1, SI2302DS, BSS138

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SI1302DL-T1参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压30 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流0.6 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.48 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SC-70-3
  • 封装Reel
  • 下降时间8 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散310 mW
  • 上升时间8 ns
  • 工厂包装数量3000
  • 商标名TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间8 ns