内存类型：GDDR5 SDRAM
　　容量：256MB（配置为x16，128Mb x16）
　　电压：1.5V（VDD）/ 1.35V（VDDQ）
　　频率：支持高达1.75Gbps数据速率
　　封装类型：FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）
　　引脚数：170-pin
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　时钟频率：最大875MHz
　　数据速率：1.75Gbps
　　数据宽度：x16位
　　刷新方式：自动刷新/自刷新

HY5PS121621FP-Y5具备多项高性能特性。首先，其GDDR5架构提供了卓越的数据传输速率和低延迟，适用于需要大量图形数据处理的应用。其次，该芯片支持多种电源管理模式，包括自刷新和深度掉电模式，有助于降低功耗，提高能效。此外，其FBGA封装形式不仅提高了封装密度，还增强了散热性能，确保在高负载环境下稳定运行。
　　该芯片采用了先进的制造工艺，确保在高频率下仍能保持稳定工作。其双数据速率（DDR）技术允许在时钟信号的上升沿和下降沿同时传输数据，从而显著提升带宽效率。同时，HY5PS121621FP-Y5还支持伪开漏（POD）驱动器和差分信号技术，提高了信号完整性和抗干扰能力。
　　在时序控制方面，该芯片支持可编程CAS延迟（CL）、写入延迟（CWD）和突发长度（BL）等参数，允许系统设计者根据具体需求优化内存性能。此外，该芯片内置温度传感器，支持温度补偿刷新（TCR），确保在不同环境温度下数据的可靠存储。

HY5PS121621FP-Y5广泛应用于需要高带宽、低延迟内存的设备中。常见的应用场景包括高性能显卡、游戏主机（如PlayStation、Xbox）、嵌入式视觉系统、工业计算机、AI加速卡以及高端网络设备。由于其出色的性能和稳定性，该芯片也常用于需要实时图形渲染和大数据处理的科研和工程设备中。

HY5PS1G1631FP-Y5、MT51J256M16A1B4-1A、K4G16394FD-BC03、CYMT16128A2B4-AC