HY5PS121621BFP 时间：2025/9/2 2:35:53 阅读：6

HY5PS121621BFP是一种由Hynix（现为SK Hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这种存储器通常用于需要高速数据访问的电子设备，如计算机、服务器和嵌入式系统。HY5PS121621BFP属于高性能的DRAM芯片，具有较大的存储容量和较快的存取速度。

参数

类型：DRAM
　　容量：256MB
　　数据速率：166MHz
　　组织结构：16M x 16
　　工作电压：3.3V
　　封装类型：54针TSOP
　　时钟频率：166MHz
　　访问时间：5.4ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）

特性

HY5PS121621BFP是一种同步DRAM（SDRAM）芯片，具有较高的数据传输速度和稳定性。该芯片采用16M x 16的组织结构，提供256MB的存储容量，适用于需要大容量存储和高速数据处理的应用场景。其166MHz的数据速率和5.4ns的访问时间使其能够在高性能系统中稳定运行。此外，该芯片采用54针TSOP封装，适合在空间受限的环境中使用。工作电压为3.3V，降低了功耗并提高了能效。同时，其工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在各种严苛环境下可靠工作。

应用

HY5PS121621BFP广泛应用于各种需要高速存储的电子设备，如个人计算机、服务器、网络设备、嵌入式系统和工业控制系统。该芯片的高性能和稳定性使其成为需要快速数据访问和可靠存储的场景的理想选择。例如，在服务器和网络设备中，HY5PS121621BFP可以提供快速的数据缓存和处理能力，提高系统的整体性能。在工业控制系统中，该芯片可以在各种恶劣环境下稳定运行，确保系统的可靠性和安全性。