时间：2025/8/2 3:16:45
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TSF5N65M是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由TSC（台湾半导体公司）生产。该器件设计用于高电压和中等电流应用，具有较高的可靠性和效率。TSF5N65M广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及各种消费类电子产品中。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：650V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：5A
功耗(Pd)：50W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装类型：TO-220F
TSF5N65M采用了先进的平面技术，具有优异的导通电阻和快速开关特性。其导通电阻较低，有助于减少功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，在高负载条件下仍能保持稳定的工作状态。TSF5N65M的栅极设计优化了开关速度，减少了开关损耗，并提高了抗干扰能力。
该MOSFET的封装形式为TO-220F，具有良好的散热性能，适合在高功率密度环境下使用。其内部结构设计保证了在高温下的稳定性和可靠性，适用于多种工业和消费类应用场景。
TSF5N65M还具有优异的雪崩击穿能力和短路保护能力，能够在异常工作条件下提供额外的安全保障。这使得它在电源系统和负载管理应用中表现出色。
TSF5N65M主要应用于电源管理系统、AC-DC适配器、DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制电路、LED照明驱动电路以及各种需要高电压开关的电子设备中。由于其良好的性能和可靠性，该器件也常用于家电、工业控制和通信设备等领域。
FQP5N65C, STF5N65M, IRFBC40
