容量：1Gb（128MB）
　　组织结构：x16位
　　工作电压：1.2V ~ 1.8V（核心电压为1.2V，I/O电压为1.8V）
　　时钟频率：最高可达266MHz
　　数据速率：533Mbps
　　封装类型：FBGA，134-ball
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　兼容JEDEC标准
　　支持自刷新（Self-Refresh）和深度掉电模式（Deep Power-Down Mode）
　　支持温度补偿自刷新（TC-SRF）

HY5PS121621BFP-CA 是一款专为低功耗应用设计的LPDDR2 SDRAM芯片。其主要特性包括：
　　1. 低功耗设计：通过降低核心电压（1.2V）和I/O电压（1.8V）来减少功耗，适合电池供电设备使用。
　　2. 高数据速率：支持最高533Mbps的数据速率，满足高性能系统的需求。
　　3. 多种省电模式：包括自刷新模式、深度掉电模式等，可根据系统需求灵活选择不同的电源管理模式，进一步延长设备续航时间。
　　4. 温度补偿自刷新（TC-SRF）：能够根据环境温度自动调整刷新周期，降低在高温或低温下的功耗。
　　5. 高可靠性：支持-40°C至+85°C的工作温度范围，适用于各种严苛的工业环境。
　　6. 小型化封装：采用134-ball FBGA封装，体积小巧，适合空间受限的便携式设备设计。
　　7. JEDEC标准兼容：符合JEDEC标准，确保与主流处理器和控制器的兼容性，便于设计和量产。

HY5PS121621BFP-CA 适用于需要低功耗和高性能存储解决方案的各类便携式电子产品，如：
　　? 智能手机和平板电脑
　　? 嵌入式系统和工业控制设备
　　? 便携式医疗设备和手持终端
　　? 物联网（IoT）设备
　　? 多媒体播放器和电子书阅读器
　　该芯片的高集成度和低功耗特性使其成为移动设备中主存或缓存的理想选择。

MT48LC16M1A2B4-6A、EM68A160TS-5X