HY5MS7B6LFP-HE 是Hynix(现为SK Hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,采用FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装,适用于需要高速数据存取的嵌入式系统和工业设备。这款DRAM芯片具有高性能、低功耗的特点,广泛用于通信设备、网络设备、工业控制等领域。
容量:256MB
类型:DRAM
组织结构:x16位
工作电压:2.3V - 3.6V
封装类型:FBGA
引脚数:54pin
接口类型:异步
最大访问时间:5.4ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
HY5MS7B6LFP-HE 是一款异步DRAM芯片,具有较高的数据传输速率和较低的延迟。其x16位的组织结构支持16位并行数据读写,适合对带宽要求较高的应用。该芯片采用FBGA封装,具有良好的散热性能和空间利用率,适用于紧凑型电路设计。
该芯片支持宽电压范围(2.3V至3.6V),提高了在不同电源条件下的兼容性。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级工作环境。HY5MS7B6LFP-HE具备良好的稳定性和可靠性,能够在高负载和复杂电磁环境下稳定运行。
此外,HY5MS7B6LFP-HE采用了低功耗设计,有助于降低系统整体功耗,延长设备的使用寿命。该芯片还支持自动刷新和自刷新功能,确保数据在断电或低功耗模式下不会丢失。
HY5MS7B6LFP-HE 广泛应用于各种嵌入式系统和工业控制设备中,如路由器、交换机、工业PC、视频采集设备、医疗仪器等。由于其高性能和高稳定性,也常用于通信基础设施设备中作为缓存或主存储器。
ISSI IS42S16400J-6T、Alliance AS4C16M16A2B4-6TLCN、Micron MT48LC16M16A2B4-6A