时间：2025/5/8 11:52:58
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BU52272NUZ-ZTR是由ROHM公司生产的一款N沟道MOSFET晶体管。该器件采用小型表面贴装封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种电源管理应用，如开关电源、DC-DC转换器以及负载开关等。
BU52272NUZ-ZTR通过优化的芯片设计和先进的制造工艺，在确保高效性能的同时还保持了良好的热稳定性，使其非常适合在紧凑型电子设备中使用。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：6.9A
导通电阻：18mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：4.7nC（典型值）
总功耗：1.2W
工作结温范围：-55℃ to +150℃
BU52272NUZ-ZTR具有非常低的导通电阻，可以显著降低功率损耗，提高效率。此外，它还具备快速开关特性，能够有效减少开关损耗。
这款器件的栅极阈值电压经过精心设计，可与标准逻辑电平兼容，简化了驱动电路的设计。
由于采用了先进的封装技术，BU52272NUZ-ZTR能够提供出色的散热性能，并且其占位面积小，非常适合空间受限的应用场景。
此外，BU52272NUZ-ZTR具备强大的抗浪涌能力和ESD保护功能，增强了产品的可靠性和耐用性。
BU52272NUZ-ZTR广泛应用于消费类电子产品、工业设备以及通信系统中。常见的应用场景包括但不限于：
1. 开关电源中的同步整流
2. DC-DC转换器中的主开关或续流二极管替代
3. 各种负载开关及保护电路
4. 电机驱动和音频放大器中的开关元件
5. 电池管理系统中的功率路径控制
BU52271GWZ-E3V, IRF530NPbF, FDP5570NZ
