容量：64Mbit
　　组织方式：8M x 8
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数量：54-pin
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　访问时间：7ns
　　工作频率：最大可达166MHz
　　存储结构：DRAM

HY57V64820HGT-7 是一款高性能的DRAM芯片，具备多种优异特性。其64Mbit的存储容量和8M x 8的组织结构使其适用于需要大容量临时存储的系统。该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，具有较强的电压适应性，能够在多种电源条件下稳定运行。此外，其访问时间为7ns，支持高达166MHz的工作频率，能够满足高速数据读写的需求。
　　芯片采用TSOP封装形式，具有较小的封装体积和良好的散热性能，适合高密度PCB布局。其工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，可在恶劣环境下稳定运行。HY57V64820HGT-7还具备良好的抗干扰能力和低功耗设计，使其在嵌入式系统和便携式设备中表现出色。此外，该芯片通过了多项国际认证，确保了其在各种应用中的可靠性。

HY57V64820HGT-7 由于其高速、大容量和稳定性，广泛应用于多个领域。在工业自动化系统中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）和工业计算机，提供高效的数据缓存。在消费电子产品中，如数字电视、机顶盒和多媒体播放器，HY57V64820HGT-7可用于临时存储视频和音频数据，提升设备的处理速度和响应能力。
　　在网络通信设备中，该芯片可用于路由器和交换机的数据缓存，提高数据传输效率。此外，HY57V64820HGT-7还可用于医疗设备、测试仪器和汽车电子系统，满足不同应用场景对存储性能的高要求。其工业级温度范围也使其适用于户外设备和极端环境下的应用。

ISSI IS61LV64820A-7T、Alliance A61LV64820A-7T、Cypress CY7C64820V-7B