时间：2025/4/29 15:51:22
阅读：2
SM04B-GHS-TB是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等需要高效能和低功耗的场景。该器件采用先进的沟槽式结构设计，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，从而有效提升了整体系统的效率。
这款MOSFET属于N沟道增强型，通过优化的封装技术，能够更好地散发热量，确保在高负载条件下的稳定性。其工作电压范围宽广，适合多种工业和消费类电子应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：85nC
开关速度：超快速
封装形式：TO-247
SM04B-GHS-TB具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以显著降低功率损耗，提升系统效率。
2. 高效的散热性能，得益于优化的封装设计，使器件能够在高温环境下保持稳定运行。
3. 快速的开关速度减少了开关损耗，适用于高频开关应用。
4. 强大的过流保护能力，增强了器件的可靠性。
5. 兼容性强，易于集成到各种电路设计中。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业自动化设备
5. 汽车电子系统
6. LED照明驱动
7. 电池管理系统（BMS）
IRFZ44N
FDP5570
STP36NF06L
