时间：2025/8/28 9:51:05
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PQ1X501M2ZPH 是一款由罗姆（Rohm）公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等高效率电源系统中。该器件采用高性能的MOSFET结构，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适合用于高密度、高效率的电源设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：60A
导通电阻（Rds(on)）：最大5.1mΩ（在Vgs=10V时）
功耗（Pd）：130W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：LFPAK56（双面散热封装）
PQ1X501M2ZPH 具备多项优异特性，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。其双面散热的LFPAK56封装设计，使器件具备出色的热性能，有助于在高电流条件下实现良好的散热效果，提升系统稳定性。
此外，该MOSFET支持高电流承载能力，连续漏极电流可达60A，适合用于高功率密度的电源应用。其栅极驱动电压范围宽广（±20V），兼容多种驱动电路设计，提高了使用的灵活性。
该器件还具备良好的抗雪崩能力，增强了在高能脉冲负载下的可靠性。适用于汽车电子、工业电源、电池管理系统以及同步整流电路等高性能应用场合。
PQ1X501M2ZPH 主要应用于各类高效率电源系统中，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及汽车电子中的功率控制模块。由于其优异的导通特性和散热性能，特别适合用于需要高电流、低损耗的高密度电源设计，如服务器电源、电信设备电源、工业自动化设备和便携式电源系统等。此外，在新能源汽车、储能系统等应用中也具有广泛的应用前景。
R6004END、SQJQ160EL、PQ1X501M2Z-A、FDMS86180、SiR178DP
