PQ1X501M2ZPH 是一款由罗姆(Rohm)公司生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等高效率电源系统中。该器件采用高性能的MOSFET结构,具备低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适合用于高密度、高效率的电源设计。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):60A
导通电阻(Rds(on)):最大5.1mΩ(在Vgs=10V时)
功耗(Pd):130W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:LFPAK56(双面散热封装)
PQ1X501M2ZPH 具备多项优异特性,首先是其极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通损耗,提高电源转换效率。其双面散热的LFPAK56封装设计,使器件具备出色的热性能,有助于在高电流条件下实现良好的散热效果,提升系统稳定性。
此外,该MOSFET支持高电流承载能力,连续漏极电流可达60A,适合用于高功率密度的电源应用。其栅极驱动电压范围宽广(±20V),兼容多种驱动电路设计,提高了使用的灵活性。
该器件还具备良好的抗雪崩能力,增强了在高能脉冲负载下的可靠性。适用于汽车电子、工业电源、电池管理系统以及同步整流电路等高性能应用场合。
PQ1X501M2ZPH 主要应用于各类高效率电源系统中,如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)以及汽车电子中的功率控制模块。由于其优异的导通特性和散热性能,特别适合用于需要高电流、低损耗的高密度电源设计,如服务器电源、电信设备电源、工业自动化设备和便携式电源系统等。此外,在新能源汽车、储能系统等应用中也具有广泛的应用前景。
R6004END、SQJQ160EL、PQ1X501M2Z-A、FDMS86180、SiR178DP