时间：2025/9/1 19:21:33
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HY57V641620ETP-6DR 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于SDRAM（同步动态随机存取存储器）类别，具有高速数据传输能力，广泛应用于需要较大内存容量的嵌入式系统、工业控制设备、通信设备等领域。该芯片采用TSOP封装，工作电压为2.3V至3.6V，具备较高的稳定性和兼容性。
类型：DRAM SDRAM
容量：64Mbit
组织结构：16M x 4 / 8M x 8 / 4M x 16
工作电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns（最大）
时钟频率：166MHz
封装类型：TSOP-II
引脚数量：54
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
数据宽度：16位
刷新周期：64ms
HY57V641620ETP-6DR 是一款高性能的DRAM芯片，具备同步接口，支持高速数据传输。该芯片采用了CMOS工艺制造，具备低功耗和高集成度的特点。其TSOP封装设计使得芯片在高频工作时具有良好的电气性能和热稳定性。此外，该芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够在不依赖外部控制器的情况下维持数据完整性，降低系统功耗。
该芯片的多路复用地址/数据总线设计，使其在系统集成时更加灵活，适用于多种嵌入式应用场景。其166MHz的时钟频率支持快速的突发模式数据访问，提升了整体系统性能。此外，HY57V641620ETP-6DR 具备较强的抗干扰能力，在复杂电磁环境中仍能保持稳定工作。
HY57V641620ETP-6DR 主要用于对内存容量和速度有一定要求的电子设备中。常见应用包括工业自动化控制系统、网络通信设备（如路由器、交换机）、视频采集与处理设备、智能家电以及医疗仪器等。在嵌入式系统中，该芯片可作为主存储器或缓存使用，为系统提供高速数据读写能力。其工业级温度范围也使其适用于户外设备和恶劣环境中的应用。
IS42S16100E-6BLI, CY7C1380D-5BZXC, MT48LC16M16A2B4-6A
