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STP43N60DM2 发布时间 时间:2025/7/22 14:07:27 查看 阅读:7

STP43N60DM2 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能功率MOSFET器件,属于超级结(Super Junction)MOSFET系列。该器件采用了先进的MDmesh DM2技术,具有低导通电阻(Rds(on))和优异的开关性能,适用于高效率电源转换系统。STP43N60DM2 是一款N沟道增强型MOSFET,耐压等级为600V,最大连续漏极电流可达43A。该器件广泛用于工业电源、开关电源(SMPS)、太阳能逆变器、电动汽车充电器等高功率应用。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):600V
  最大连续漏极电流(Id):43A
  导通电阻(Rds(on)):典型值为0.065Ω
  栅极电荷(Qg):150nC
  最大功耗(Pd):300W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-220、TO-247等

特性

STP43N60DM2 的核心优势在于其采用的MDmesh DM2技术,该技术显著降低了导通电阻并提高了器件的雪崩能量承受能力,从而提升了整体能效和可靠性。其低Rds(on)特性可减少导通损耗,提高电源系统的效率。
  此外,该MOSFET具有出色的热稳定性,能够在高负载条件下保持稳定运行,适合用于高功率密度设计。其高dv/dt抗扰能力可有效减少意外导通的风险,增强了器件在恶劣电磁环境中的稳定性。
  STP43N60DM2 还具有快速开关能力,降低了开关损耗,有助于提高高频应用中的效率。该器件还内置了防静电保护(ESD)结构,提升了器件在生产、装配和使用过程中的可靠性。
  在封装方面,STP43N60DM2 提供了多种选项,如TO-220和TO-247,便于用户根据具体应用需求进行散热设计和PCB布局。TO-247封装特别适合高功率应用,具备更好的散热性能。

应用

STP43N60DM2 主要应用于需要高效率和高可靠性的功率转换系统。其典型应用包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动汽车充电设备、工业电机驱动器、LED照明电源以及家电中的功率控制模块。
  在开关电源中,该器件可用于主开关拓扑(如LLC谐振变换器、反激式和正激式变换器),实现高效能的DC-DC或AC-DC转换。在太阳能逆变器中,STP43N60DM2 可用于直流侧开关,其低导通电阻和高耐压能力可显著提升系统效率。
  此外,该MOSFET也适用于电动汽车充电系统中的功率因数校正(PFC)电路,帮助实现更高的能量转换效率和更低的热量产生。在家电领域,如变频空调、洗衣机等设备中,该器件可用于功率调节和电机控制电路,提高系统整体能效和稳定性。

替代型号

STP43N60DM2的替代型号包括:STP48N60DM2、STP38N60DM2、STP47N60DM2、STP43N65DM2、STP43N60K3、STP43N60D2、STP45N60DM2、STP40N60DM2、STP43N60DF2A、STP43N60DM2AG(贴片封装版本)等。

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STP43N60DM2参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥51.44000管件
  • 系列MDmesh? DM2
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)34A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)93 毫欧 @ 17A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)56 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2500 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)250W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220
  • 封装/外壳TO-220-3