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1N4749A_T50R 发布时间 时间:2025/8/24 10:52:58 查看 阅读:22

1N4749A_T50R 是一种常见的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和稳压电路中。该器件由ON Semiconductor制造,采用DO-41封装,适合通孔安装。1N4749A_T50R 的齐纳电压为22V,额定功率为1W,适用于多种电子设备中的稳压应用。

参数

类型:齐纳二极管
  齐纳电压:22V
  额定功率:1W
  封装类型:DO-41
  安装类型:通孔
  最大正向电流:200mA
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  存储温度范围:-65°C ~ 175°C

特性

1N4749A_T50R 是一款性能稳定的齐纳二极管,具有良好的温度稳定性和长期可靠性。该器件采用DO-41封装,体积小巧,便于在各种电子电路中使用。其齐纳电压为22V,在额定电流范围内保持稳定,适用于需要精确稳压的场合。此外,该二极管具有较高的耐压能力和良好的热稳定性,能够承受一定的环境温度变化,确保电路在不同条件下稳定运行。1N4749A_T50R 还具备较低的动态阻抗,使其在负载变化时仍能维持较为稳定的输出电压,适用于电源管理、信号调节和保护电路等应用场景。
  在电气特性方面,1N4749A_T50R 的最大正向电流为200mA,齐纳电流测试条件为19.1mA,反向漏电流在低于齐纳电压时非常小,通常在微安级别。该器件的温度系数为+30ppm/°C,表明其在温度变化时电压漂移较小,适用于对稳定性要求较高的电路设计。此外,该齐纳二极管的响应速度快,能够迅速对电压波动做出反应,提供有效的稳压保护。

应用

1N4749A_T50R 主要用于各种电子设备中的稳压电路,例如电源供应器、电压参考源、电池充电器、过压保护电路以及信号调节电路。该器件也常用于仪表、工业控制系统和消费类电子产品中,作为基准电压源或用于电压钳位保护。由于其良好的稳定性和可靠性,1N4749A_T50R 也广泛应用于模拟电路、测试设备和通信系统中,确保电路在不同工作条件下保持稳定的电压水平。

替代型号

1N4749A, 1N5248B-T, 1N4749A-TR

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1N4749A_T50R参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)24V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)-
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电5µA @ 18.2V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大1W
  • 阻抗(最大)(Zzt)25 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳DO-204AL,DO-41,轴向
  • 供应商设备封装DO-41
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 200°C