时间：2025/12/24 12:28:19
阅读：12
JSM20N15C是一种高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
作为一款N沟道增强型MOSFET，JSM20N15C适用于中高压应用场景。其封装形式为TO-220，便于散热和安装，适合需要较高电流承载能力和电压耐受能力的电路设计。
最大漏源电压：150V
最大漏极电流：20A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：36nC
输入电容：1240pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
1. 高电压耐受能力：JSM20N15C的最大漏源电压高达150V，可满足多种高压应用需求。
2. 低导通电阻：导通电阻仅为0.18Ω，能够显著降低导通状态下的功率损耗。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷（36nC）和输入电容（1240pF）使其具有较高的开关速度，减少开关损耗。
4. 宽温工作范围：支持从-55℃到+150℃的工作温度区间，适应各种恶劣环境条件。
5. 稳定性好：即使在高频和大电流条件下，也能保持良好的稳定性和可靠性。
6. 封装优势：采用标准TO-220封装，方便与现有电路板兼容，并具备优良的散热性能。
1. 开关电源：可用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等开关电源中的主开关管。
2. 电机驱动：适用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机和其他类型的电机驱动电路。
3. 逆变器：用于光伏逆变器、UPS不间断电源等设备中的功率开关。
4. 负载切换：在负载切换或保护电路中充当高速开关元件。
5. LED驱动：为大功率LED提供高效驱动方案。
6. 充电器：应用于快速充电器及其他充电设备的功率级电路中。
IRFZ44N, FDP55N10, STP20NF10, AO3402A
