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HY57V641620 发布时间 时间:2025/9/2 10:13:57 查看 阅读:11

HY57V641620 是由现代(Hyundai,现为SK Hynix)生产的一款动态随机存取存储器(DRAM)芯片。这款芯片属于早期的DRAM产品系列,主要用于个人计算机、嵌入式系统和工业控制设备中,提供高速数据存储和访问功能。HY57V641620 采用48-TSOP(Thin Small Outline Package)封装,具有较高的集成度和稳定性,适用于需要中等容量内存的应用场景。

参数

容量:64Mbit
  组织方式:16M x 4
  封装类型:48-TSOP
  电源电压:3.3V
  访问时间:5.4ns(最大)
  刷新周期:64ms
  工作温度范围:0°C 至 70°C
  数据保持电压:2.3V 至 3.6V
  时钟频率:166MHz
  

特性

HY57V641620 是一款高性能的DRAM芯片,具备快速的数据访问能力,支持高速时钟频率,适用于需要较高数据吞吐量的应用。其5.4ns的访问时间确保了快速的数据读写响应,适用于早期的PC主板和嵌入式系统设计。
  该芯片采用低功耗设计,在3.3V电压下运行,有助于降低系统整体功耗,同时在数据保持模式下支持更低的电压(2.3V),进一步提升能效。这种特性使其适用于电池供电设备和对功耗敏感的工业控制系统。
  此外,HY57V641620 提供64ms的刷新周期,这在DRAM中属于标准范围,能够在不频繁刷新的情况下维持数据完整性,减少了内存控制器的负担,提升了系统稳定性。其工作温度范围为0°C至70°C,适用于大多数工业级和商业级应用场景。
  这款DRAM芯片的16M x 4组织结构使其在数据总线管理方面具有灵活性,适合与多种处理器和控制器配合使用。48-TSOP封装不仅节省空间,还具有良好的热稳定性和机械可靠性,便于SMT(表面贴装技术)工艺组装。

应用

HY57V641620 主要应用于早期的个人计算机、嵌入式系统、工业控制设备以及通信设备中,作为主存储器或缓存使用。它也常见于一些老式工控主板、数据采集系统和视频监控设备中,用于临时存储运行时的数据和程序指令。由于其稳定性和兼容性良好,这款DRAM芯片也广泛用于工业自动化设备、医疗电子设备和测试测量仪器中,确保系统在复杂环境下稳定运行。
  此外,HY57V641620 也可用于网络设备,如路由器和交换机,作为缓存或临时存储单元,以提升数据转发效率。由于其标准的DRAM接口,该芯片能够轻松集成到多种系统架构中,并与多种控制器和处理器兼容,适用于需要可靠内存解决方案的设计场景。

替代型号

IS42S16400F-6T、K4S641632K-TC、MT48LC16M16A2B4-6A

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