VUO82-16N07 是一款由Microsemi(现为Microchip子公司)生产的高功率双极型晶体管(BJT)模块,专为高电压和高电流应用设计。该器件属于绝缘双极晶体管(IGBT)的替代方案,适用于需要高可靠性和稳定性的工业与能源系统。
集电极-发射极电压 Vce:1600V
集电极电流 Ic:82A
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:模块式封装(Modu封装)
最大功耗:1200W
短路耐受能力:支持短时过载保护
封装尺寸:125mm x 76mm x 17mm(具体尺寸可能因版本而异)
VUO82-16N07 具有出色的电气性能和热稳定性,能够承受高电压和大电流的双重压力。其模块化封装设计使得散热性能优越,适用于高功率密度的应用场景。该晶体管模块采用先进的硅片技术和封装材料,确保在极端环境下的稳定运行。此外,它具备较高的短路耐受能力,可以在瞬态过载情况下保护电路系统不受损坏。其结构设计也支持快速安装和维护,适用于需要高可靠性的工业设备。模块还具有良好的电磁兼容性(EMC),可减少系统噪声和干扰,提升整体系统性能。在制造过程中,VUO82-16N07 通过了严格的测试标准,确保产品在各种恶劣环境下的长期稳定性。
VUO82-16N07 适用于高电压直流(HVDC)传输、电机驱动、可再生能源系统(如风力发电和太阳能逆变器)、电能质量控制设备以及大功率UPS系统等。该器件在设计上优化了导通压降和开关损耗之间的平衡,使其在高频率开关应用中表现出色,同时保持较低的热损耗。此外,其良好的并联能力也使其适用于需要更高电流容量的并联拓扑结构。
该器件广泛应用于高功率工业设备,如电力电子变换器、逆变器、整流器、电机驱动系统、高电压直流输电系统(HVDC)、可再生能源系统(如风电变流器和光伏逆变器)、不间断电源(UPS)、电能质量调节装置以及轨道交通电力系统等。VUO82-16N07 在高压和大电流条件下表现出色,特别适合需要高可靠性和稳定性的电力电子系统。其模块化设计也使其易于集成到复杂系统中,满足不同应用场景的需求。
VUO82-16N07S, VUO82-16N07P, VUO82-16N07B