HY57V56420CT-H 时间：2025/9/1 23:07:55 阅读：23

HY57V56420CT-H是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片广泛应用于计算机主板、工业控制设备、嵌入式系统等领域，提供高速数据存储功能。HY57V56420CT-H属于同步DRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory，SDRAM）类别，具有较高的数据传输速率和稳定性。该芯片采用TSOP（Thin Small Outline Package，薄型小外形封装）封装形式，适合高密度PCB布局。

参数

类型：SDRAM
　　容量：256MB（32M x 8）
　　电压：3.3V
　　封装类型：TSOP
　　数据速率：143MHz（-H后缀表示速度等级）
　　组织结构：x16
　　刷新周期：64ms
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　数据宽度：16位
　　时钟频率：143MHz
　　访问时间：5.4ns
　　封装引脚数：54-pin

特性

HY57V56420CT-H具有多项优异的电气和物理特性，适用于高性能存储系统。首先，其同步设计允许数据在时钟信号的控制下精确传输，提高系统稳定性与数据传输效率。其次，该芯片支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）模式，有效降低功耗并延长数据保持时间。此外，HY57V56420CT-H采用CMOS工艺制造，具有低功耗、高噪声容限和高速响应的特点。TSOP封装不仅节省空间，还增强了散热性能，适用于高密度电路板设计。
　　该芯片的143MHz数据速率使其能够满足高速缓存和主存需求，尤其适用于需要大量数据处理的嵌入式系统和工业控制设备。其工作温度范围为0°C至70°C，符合工业级应用标准，可在多种环境条件下稳定运行。

应用

HY57V56420CT-H主要用于需要大容量高速缓存的应用场景，包括个人计算机、嵌入式系统、工业控制设备、通信设备和消费类电子产品。例如，在嵌入式系统中，该芯片可用于临时存储运行时数据，提高系统响应速度；在工业控制系统中，可作为高速缓存用于实时数据处理；在通信设备中，可用于数据缓冲和传输管理。此外，HY57V56420CT-H也常见于老一代主板和图形加速卡中，作为主存或帧缓存使用。