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HY57V56420CT-H 发布时间 时间:2025/9/1 23:07:55 查看 阅读:11

HY57V56420CT-H是一款由Hynix(现为SK Hynix)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片广泛应用于计算机主板、工业控制设备、嵌入式系统等领域,提供高速数据存储功能。HY57V56420CT-H属于同步DRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory,SDRAM)类别,具有较高的数据传输速率和稳定性。该芯片采用TSOP(Thin Small Outline Package,薄型小外形封装)封装形式,适合高密度PCB布局。

参数

类型:SDRAM
  容量:256MB(32M x 8)
  电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  数据速率:143MHz(-H后缀表示速度等级)
  组织结构:x16
  刷新周期:64ms
  工作温度范围:0°C 至 70°C
  数据宽度:16位
  时钟频率:143MHz
  访问时间:5.4ns
  封装引脚数:54-pin

特性

HY57V56420CT-H具有多项优异的电气和物理特性,适用于高性能存储系统。首先,其同步设计允许数据在时钟信号的控制下精确传输,提高系统稳定性与数据传输效率。其次,该芯片支持自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)模式,有效降低功耗并延长数据保持时间。此外,HY57V56420CT-H采用CMOS工艺制造,具有低功耗、高噪声容限和高速响应的特点。TSOP封装不仅节省空间,还增强了散热性能,适用于高密度电路板设计。
  该芯片的143MHz数据速率使其能够满足高速缓存和主存需求,尤其适用于需要大量数据处理的嵌入式系统和工业控制设备。其工作温度范围为0°C至70°C,符合工业级应用标准,可在多种环境条件下稳定运行。

应用

HY57V56420CT-H主要用于需要大容量高速缓存的应用场景,包括个人计算机、嵌入式系统、工业控制设备、通信设备和消费类电子产品。例如,在嵌入式系统中,该芯片可用于临时存储运行时数据,提高系统响应速度;在工业控制系统中,可作为高速缓存用于实时数据处理;在通信设备中,可用于数据缓冲和传输管理。此外,HY57V56420CT-H也常见于老一代主板和图形加速卡中,作为主存或帧缓存使用。

替代型号

IS42S16400F-6T、K4S641632C-TC75、MT48LC16M2A2B4-6A、CY7C1370BV33-133BZXC、HY57V641620FTP-Y5

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