LBAV70T1G 时间：2025/8/13 19:20:42 阅读：21

LBAV70T1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的通用型双极性晶体管（BJT），属于 NPN 类型晶体管。该器件设计用于中等功率放大和开关应用，具备良好的频率响应和稳定的性能。由于其封装小巧、性价比高，广泛应用于消费类电子产品、工业控制电路、通信设备和电源管理模块中。LBAV70T1G 采用 SOT-23 封装，适合表面贴装工艺，便于自动化生产和高密度 PCB 设计。

参数

类型：NPN 双极性晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　电流增益（hFE）：110（最小）至 800（最大），依等级不同而异
　　频率响应（fT）：100MHz（典型值）
　　封装形式：SOT-23

特性

LBAV70T1G 是一款性能稳定、用途广泛的 NPN 型晶体管，适用于多种模拟和数字电路设计。其主要特性包括高增益、低噪声和良好的线性度，适合用于前置放大器和射频信号放大。晶体管的 hFE 值范围较宽，可以根据具体应用选择不同等级的产品，从而实现更精确的电路设计。
　　LBAV70T1G 具有良好的频率响应特性，fT（过渡频率）高达 100MHz，使其在射频和中频放大电路中表现出色。此外，该晶体管具备较强的温度稳定性，能够在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内正常工作，适应各种严苛环境下的应用需求。
　　该器件采用 SOT-23 小型封装，具有较低的热阻，适合表面贴装技术（SMT），便于自动化生产与高密度 PCB 设计。同时，其功耗较低，适用于电池供电设备和便携式电子产品。
　　LBAV70T1G 在开关电路中表现优异，响应速度快，适用于逻辑电路、驱动电路和电源控制等场景。其较高的击穿电压（VCEO = 30V，VCBO = 50V）使其在中等电压环境下具有良好的可靠性。

应用

LBAV70T1G 广泛应用于多个电子领域。在消费类电子产品中，常用于音频放大器、遥控器、无线通信模块和传感器驱动电路。在工业控制方面，该晶体管可用于继电器驱动、电机控制、LED 驱动和电源转换电路。此外，在通信设备中，LBAV70T1G 可用于射频信号放大、中继器和无线基站模块。其高频率响应和低噪声特性也使其在测试仪器、仪表和模拟信号处理电路中得到广泛应用。