容量：256MB
　　组织结构：16M x 16
　　电压：3.3V
　　速度等级：-6A（对应时钟频率166MHz）
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54-pin
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）

HY57V561620FLT-H 的主要特性包括高速数据访问能力、低功耗设计以及良好的稳定性和可靠性。
　　首先，该芯片支持高达166MHz的时钟频率，使其在数据处理速度上表现出色，能够满足高性能系统的需求。此外，它采用了同步接口技术，使得数据读写操作与系统时钟保持严格同步，从而提高了整体系统的效率。
　　其次，该器件的工作电压为3.3V，这在当时的标准下属于较低的电源需求，有助于减少整体功耗并提高能效。这种特性对于对功耗敏感的设计（如便携式设备或长时间运行的嵌入式系统）尤其重要。
　　再者，该芯片采用54引脚TSOP（薄型小外形封装），不仅提供了紧凑的物理尺寸，还具备较好的散热性能，适合在空间受限的环境中使用。同时，其宽泛的工作温度范围（-40°C至+85°C）确保了在各种恶劣环境条件下仍能稳定运行，因此被广泛应用于工业控制、汽车电子和网络基础设施等领域。
　　最后，HY57V561620FLT-H 还支持多种模式的突发读写操作，可以按照不同的顺序访问内存地址，进一步提升了灵活性和性能。这种功能在处理大数据块或执行复杂算法时特别有用。

HY57V561620FLT-H 主要应用于需要大容量快速存储的场合。例如，在通信领域，它可以作为路由器、交换机或其他网络设备的主存，以支持高速数据包处理；在视频监控系统中，这款DRAM可用于缓存图像数据，实现流畅的视频流传输；此外，它也常见于工控设备、测试仪器和嵌入式系统中，为这些设备提供临时的数据存储和处理支持。由于其具备宽温特性和稳定性，因此特别适合用于户外或极端环境下工作的电子产品。

IS42S16256A-6T, MT48LC16M2A2B4-6A