时间：2025/8/6 5:03:49
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IXTA27N20T是一款由Littelfuse公司制造的功率MOSFET，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件设计用于高电流和高电压应用，具备快速开关特性和高效率，适合用于各种电源转换设备，如DC-DC转换器、电机控制和负载开关。IXTA27N20T采用TO-220封装，具有良好的热性能和机械稳定性，能够承受较高的工作温度和较大的功率损耗。其主要特点包括低导通电阻、高击穿电压和高雪崩能量承受能力。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：200V
连续漏极电流(Id)：27A
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.12Ω
栅极阈值电压(Vgs(th))：2V至4V
功率耗散(Pd)：125W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220
IXTA27N20T具有多项优异的电气和物理特性，使其在各种高功率应用中表现出色。首先，该MOSFET的漏源电压高达200V，使其适用于需要高电压耐受能力的电路设计。同时，其最大连续漏极电流为27A，确保其在高电流负载下依然保持稳定的性能。此外，该器件的导通电阻较低，典型值为0.12Ω，有助于降低导通损耗，提高系统整体效率。
该器件采用TO-220封装形式，具有良好的散热性能，适合在高功率环境中使用。其栅极阈值电压范围为2V至4V，使其兼容多种驱动电路，包括常见的5V和10V驱动电源。IXTA27N20T还具备较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行，提高系统的可靠性。
在热性能方面，该MOSFET能够在-55°C至175°C的温度范围内正常工作，适应各种严苛的环境条件。其封装结构也提供了良好的机械稳定性，适合在工业和汽车电子应用中使用。此外，该器件的开关速度较快，有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。
IXTA27N20T广泛应用于多种高功率电子系统中，包括DC-DC转换器、电机控制、电源管理、电池充电器、工业自动化设备以及汽车电子系统。由于其高耐压和大电流能力，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换和负载开关应用。例如，在电机控制系统中，IXTA27N20T可以作为主开关，控制电机的启停和方向；在电源管理系统中，它可用于高效能的功率调节和负载管理。此外，该器件也可用于UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和工业驱动器等应用。
IXTP27N20T, FDPF27N20, FQP27N20
