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GA1210A123GBAAT31G 发布时间 时间:2025/6/3 9:26:57 查看 阅读:8

GA1210A123GBAAT31G 是一款高性能的功率放大器芯片,广泛应用于射频通信领域。该芯片采用先进的 GaAs(砷化镓)工艺制造,具有高增益、高效率和低噪声的特点,适合于无线通信设备中的信号放大功能。其设计优化了线性度和稳定性,在高频段表现出色。

参数

类型:功率放大器芯片
  工艺:GaAs(砷化镓)
  频率范围:900 MHz - 2.7 GHz
  增益:25 dB
  输出功率(P1dB):35 dBm
  效率:45 %
  电源电压:5 V
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
  封装形式:SMT 封装

特性

GA1210A123GBAAT31G 的主要特性包括:
  1. 高增益性能:在指定的工作频率范围内,提供稳定的增益表现。
  2. 宽带支持:适用于多个通信频段,覆盖从 900 MHz 到 2.7 GHz 的范围。
  3. 高效率:在输出功率达到 P1dB 时,仍能保持较高的转换效率。
  4. 稳定性强:内置匹配网络,减少外部元件需求,同时提高了系统的整体稳定性。
  5. 小型化设计:采用 SMT 封装技术,便于集成到紧凑型电路板中。
  6. 低噪声系数:确保信号质量不受影响,尤其适合对信噪比要求较高的应用环境。

应用

该芯片适用于多种射频通信场景,包括但不限于:
  1. 移动通信基站
  2. 射频前端模块
  3. 无线数据传输设备
  4. 工业及科学仪器中的信号放大
  5. GPS 和卫星通信系统
  由于其高效的功率放大能力,这款芯片成为许多高频通信设备的核心组件。

替代型号

GA1210A123GBAAT31G-EV
  GA1210A123GBAAT31G-RF
  GA1210A123GBAAT31G-EXT

GA1210A123GBAAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.012 μF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-