时间：2025/9/1 11:54:58
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HY57V561620CTPH 是由现代（Hynix，现为SK Hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于同步动态随机存取存储器（SDRAM）类别，主要用于需要较高数据存取速度的电子设备中。HY57V561620CTPH 的存储容量为256MB，采用16位数据总线宽度设计，适用于嵌入式系统、工业控制设备以及其他需要中等容量存储的应用场景。
容量：256MB
数据总线宽度：16位
内存类型：同步动态随机存取存储器(SDRAM)
电源电压：2.3V - 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
引脚数量：54-pin
HY57V561620CTPH 具有高性能和低功耗的特点，适合于需要稳定存储解决方案的应用。这款芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，使其在不同的电源条件下都能稳定工作。此外，其宽广的工作温度范围(-40°C至+85°C)也确保了在各种环境下的可靠性。
该芯片采用TSOP封装形式，54引脚的设计使得其在PCB上的布局更加紧凑，同时也便于散热。16位的数据总线宽度确保了数据传输的高效性，而256MB的存储容量则满足了大多数嵌入式应用的需求。
作为一款同步DRAM，HY57V561620CTPH能够与系统的时钟信号同步，从而提高数据传输的效率和准确性。这种特性对于需要高速数据处理的应用非常重要，如图像处理、实时控制系统等。
HY57V561620CTPH 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信设备以及消费类电子产品。由于其高性能和低功耗的特性，这款芯片非常适合用于需要可靠存储解决方案的场合。例如，在工业自动化控制系统中，它可以作为主存来存储程序和数据；在通信设备中，它可以用于缓存数据或作为临时存储单元；而在消费类电子产品中，如智能家电或便携式媒体播放器，它也可以提供足够的存储空间以支持设备的功能。
IS42S16256A ISSI, MT48LC16M2A2B4-6A Micron, K4S561632K Samsung
