时间：2025/9/2 11:45:20
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HY57V561620CT-H是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，广泛用于需要高性能内存的电子设备中，例如嵌入式系统、工业控制设备、网络设备以及计算机外围设备。该芯片具有较高的存储容量和较快的存取速度，能够满足对内存性能有较高要求的应用场景。
容量：256Mb
组织结构：16M x16
电压：2.3V - 3.6V
速度等级：-5、-6、-7
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
接口类型：并行
访问时间：5.4ns（最大）
刷新周期：64ms
HY57V561620CT-H是一款高性能的DRAM芯片，采用了先进的CMOS工艺制造，具有低功耗和高可靠性的特点。该芯片支持异步操作，具备灵活的读写控制功能，适用于多种嵌入式系统和工业应用。
该DRAM芯片的256Mb容量和16M x16的组织结构，使其能够提供较大的数据存储空间，并支持快速的数据存取。其高速访问时间为5.4ns，确保了系统在高频率运行时仍能保持良好的响应能力。
此外，HY57V561620CT-H支持2.3V至3.6V的宽电压范围，适应不同的电源设计需求，增强了系统的兼容性和稳定性。其TSOP封装形式有助于降低封装高度，适用于空间受限的设计。工业级的工作温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行。
HY57V561620CT-H广泛应用于需要高速缓存或临时数据存储的场景，如网络路由器和交换机、工业控制设备、医疗仪器、通信设备、视频采集与处理系统等。其高可靠性和稳定性也使其成为车载电子系统、智能监控设备等领域的理想选择。
IS42S16400F-6T、MT48LC16M2A2B4-6A、CY7C1041CV33-55B、K4S641632K-TC75
