12061A300GAT2A 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT),适用于高频、高效功率转换应用。该器件采用表面贴装封装,适合自动化生产环境。其卓越的开关性能和低导通电阻使其成为电源管理、射频放大器以及新能源领域中的理想选择。
这款芯片的主要特点是采用了先进的氮化镓技术,与传统的硅基 MOSFET 相比,具有更低的导通损耗和更高的工作频率。同时,它支持高达 650V 的耐压能力,满足多种高压应用场景的需求。
型号:12061A300GAT2A
类型:增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
耐压值:650 V
连续漏极电流:30 A
导通电阻:8 mΩ(典型值)
栅极电荷:45 nC(典型值)
反向恢复电荷:无(由于 GaN 技术特性)
结温范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-252 (DPAK)
1. 高效功率转换:得益于低导通电阻和快速开关速度,能够显著降低能量损耗。
2. 高耐压能力:支持高达 650V 的工作电压,适用于工业及汽车级应用。
3. 减小系统尺寸:由于高频工作能力,可以使用更小的磁性元件和滤波器,从而减小整体系统体积。
4. 热稳定性强:能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
5. 易于驱动:兼容标准逻辑电平驱动信号,简化了设计流程。
6. 表面贴装封装:适合大规模自动化生产和高可靠性要求的应用场景。
1. 开关电源 (SMPS):
用于 AC/DC 和 DC/DC 转换器,提升效率和功率密度。
2. 电机驱动:
在高速电机控制中提供高效切换。
3. 新能源领域:
包括太阳能逆变器、储能系统和电动车充电站等。
4. 射频放大器:
利用其高频性能,广泛应用于通信设备和雷达系统。
5. 工业自动化:
为各种工业控制设备提供高性能功率转换解决方案。
12061A300GAT2B, 12061A300GAT2C