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12061A300GAT2A 发布时间 时间:2025/7/10 12:41:11 查看 阅读:17

12061A300GAT2A 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT),适用于高频、高效功率转换应用。该器件采用表面贴装封装,适合自动化生产环境。其卓越的开关性能和低导通电阻使其成为电源管理、射频放大器以及新能源领域中的理想选择。
  这款芯片的主要特点是采用了先进的氮化镓技术,与传统的硅基 MOSFET 相比,具有更低的导通损耗和更高的工作频率。同时,它支持高达 650V 的耐压能力,满足多种高压应用场景的需求。

参数

型号:12061A300GAT2A
  类型:增强型氮化镓场效应晶体管 (eGaN FET)
  耐压值:650 V
  连续漏极电流:30 A
  导通电阻:8 mΩ(典型值)
  栅极电荷:45 nC(典型值)
  反向恢复电荷:无(由于 GaN 技术特性)
  结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-252 (DPAK)

特性

1. 高效功率转换:得益于低导通电阻和快速开关速度,能够显著降低能量损耗。
  2. 高耐压能力:支持高达 650V 的工作电压,适用于工业及汽车级应用。
  3. 减小系统尺寸:由于高频工作能力,可以使用更小的磁性元件和滤波器,从而减小整体系统体积。
  4. 热稳定性强:能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
  5. 易于驱动:兼容标准逻辑电平驱动信号,简化了设计流程。
  6. 表面贴装封装:适合大规模自动化生产和高可靠性要求的应用场景。

应用

1. 开关电源 (SMPS):
  用于 AC/DC 和 DC/DC 转换器,提升效率和功率密度。
  2. 电机驱动:
  在高速电机控制中提供高效切换。
  3. 新能源领域:
  包括太阳能逆变器、储能系统和电动车充电站等。
  4. 射频放大器:
  利用其高频性能,广泛应用于通信设备和雷达系统。
  5. 工业自动化:
  为各种工业控制设备提供高性能功率转换解决方案。

替代型号

12061A300GAT2B, 12061A300GAT2C

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12061A300GAT2A参数

  • 产品培训模块Component Solutions for Smart Meter Applications
  • 标准包装4,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列-
  • 电容30pF
  • 电压 - 额定100V
  • 容差±2%
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用通用
  • 额定值-
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 尺寸/尺寸0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.037"(0.94mm)
  • 引线间隔-
  • 特点-
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-