时间：2025/8/5 12:19:36
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IXGA20N250HV-TRL 是一款由 Littelfuse（原 IXYS）制造的高电压 N 沟道功率 MOSFET，专为高压功率转换应用而设计。该器件具有高阻断电压能力，适用于工业电机控制、电源系统、直流电机驱动器、可再生能源系统（如太阳能逆变器）以及需要高可靠性和高效能的电力电子装置。其250V的高漏源击穿电压(VDS)和20A的连续漏极电流能力，使其在中高功率应用中表现出色。
类型：功率MOSFET
沟道类型：N沟道
漏源电压(VDS)：250V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：20A（在25°C时）
最大功耗(PD)：200W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-247
导通电阻(RDS(on))：典型值为0.18Ω
栅极电荷(Qg)：典型值为60nC
输入电容(Ciss)：典型值为1400pF
IXGA20N250HV-TRL 具备一系列高性能特性，包括低导通电阻、高耐压能力和快速开关速度。其低RDS(on)减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件采用了先进的平面技术，确保了在高频率开关应用中的稳定性和可靠性。
该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温度环境下长时间工作而不影响性能。其高雪崩能量耐受能力也增强了器件在瞬态过电压条件下的鲁棒性。此外，该器件的栅极设计优化了驱动损耗，使其适用于各种高频开关拓扑结构。
IXGA20N250HV-TRL 采用 TO-247 封装形式，便于安装和散热管理，适合高功率密度设计。同时，该封装提供了良好的电气隔离和机械稳定性，确保了在恶劣工业环境下的长期可靠性。
IXGA20N250HV-TRL 广泛应用于多种电力电子系统中，包括工业电机驱动器、直流电源转换器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电焊设备和电动汽车充电系统等。由于其高电压和高电流能力，该器件特别适合用于需要高压直流链路转换的场合。
此外，该MOSFET也常用于高频开关电源、电池管理系统和负载开关电路中，能够有效支持功率因数校正（PFC）电路、DC-DC变换器和H桥逆变器等多种拓扑结构的设计。
IXFN20N250P-TRL, IXTP20N250HV, IRFP4668, FCP20N250V
